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一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法,属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法,将原料与酒精球磨,研磨所得的混合粉烘干、压柱;所得的原料块煅烧合成,研磨后得到陶瓷颗粒;压制成陶瓷胚体;在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结;退火,制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能;同时,可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单,是一种方便快捷的制备技术。

著录项

  • 公开/公告号CN112062565A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广西大学;

    申请/专利号CN202010991507.3

  • 发明设计人 彭彪林;于芳;

    申请日2020-09-17

  • 分类号C04B35/497(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人卢波

  • 地址 530004 广西壮族自治区南宁市大学东路100号

  • 入库时间 2023-06-19 08:03:25

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