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一种聚吡咯多孔中空纳米微球及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及纳米技术和高分子技术,具体的说是一种壳层多孔的聚吡咯中空纳米微球和它的制备方法及其应用,其制备过程可按以下方法进行:即在氧化剂氯化铁的作用下,吡咯单体低温下在纳米二氧化硅模板表面发生聚合反应,之后用氢氟酸刻蚀,除去模板后形成中空结构并在聚吡咯壳层留下纳米级孔洞。该种聚吡咯多孔中空纳米微球可用作填料用于气体分离膜、渗透汽化膜、纳滤膜等的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN111974322A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201910449588.1

  • 申请日2019-05-23

  • 分类号B01J13/14(20060101);C08G73/06(20060101);B01D53/22(20060101);B01D71/68(20060101);B01D69/12(20060101);B01D61/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号

  • 入库时间 2023-06-19 08:01:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01J13/14 专利申请号:2019104495881 申请公布日:20201124

    发明专利申请公布后的视为撤回

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