法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180626
实质审查的生效
2018-12-28
公开
公开
机译: 利用源极/漏极的过分生长来制造半导体器件的方法,以形成自对准的,无间隔损耗的接触件,以及一种以相同方式制成的半导体器件
机译: 利用源极/漏极的过分生长来制造半导体器件的方法,以形成自对准的,无间隔损耗的接触件,以及一种以相同方式制成的半导体器件
机译: 一种利用选择性表皮生长来形成轻掺杂源/漏区的MOSFET的制造方法