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建立考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型的方法

摘要

本发明公开了属于变压器技术领域的一种考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型。包括单相三绕组降压自耦变压器基本的电路与磁路方程、、单相三绕组自耦变压器的等效电路、单相三绕组升压自耦变压器等效电路、激磁阻抗zm的表达式和考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型表达式。本发明提出的自耦变压器模型既考虑了高、中压绕组之间的磁的耦合也考虑了电的联系,比用普通三绕组变压器代替三绕组自耦变压器进行谐波特性仿真的结果更真实。激磁阻抗不但包括了通常不可忽略的反映铁心饱和特性的非线性电感,同时也考虑了反映铁耗的非线性电阻,对于分析变压器的谐波特性更为精确。

著录项

  • 公开/公告号CN101794321B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华北电力大学;

    申请/专利号CN200910087692.7

  • 申请日2009-06-25

  • 分类号G06F17/50(20060101);H01F30/02(20060101);H01F41/00(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人史双元

  • 地址 102206 北京市德胜门外朱辛庄华北电力大学

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50 授权公告日:20130306 终止日期:20150625 申请日:20090625

    专利权的终止

  • 2013-03-06

    授权

    授权

  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20090625

    实质审查的生效

  • 2010-08-04

    公开

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