一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法

摘要

一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法,包括含有双惠斯通电桥的硅薄膜及硅衬底，硅衬底从上至下包括保护层、处理层、牺牲层，保护层包括压力浅腔及压力深腔，压力浅腔位于硅薄膜下方，与压力深腔连通，压力深腔另一端和牺牲层连接，处理层包括背腔，背腔一端和牺牲层连接，另一端和外界大气连通，背腔及压力深腔和牺牲层连接的部分在水平方向的投影无重叠，牺牲层包括牺牲层通道，牺牲层通道连通压力深腔和背腔。避免了用深反应离子刻蚀方法形成背腔时，由于刻蚀工艺刻蚀均匀性等问题，导致硅薄膜结构损坏等问题。