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一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法

摘要

本发明公开了一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法,该方法包括:步骤1、搭建复合薄膜沉积系统;步骤2、对沉积样品的表面进行预处理;步骤3、在处理完成的样品表面沉积半导体薄膜;步骤4、对步骤3中的半导体薄膜进行处理,消除残余应力;步骤5、在处理完成的半导体薄膜上沉积绝缘薄膜;步骤6、对步骤5中的绝缘薄膜进行处理,消除残余应力。

著录项

  • 公开/公告号CN108998777A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201810768361.9

  • 发明设计人 邵涛;王瑞雪;徐晖;章程;孔飞;

    申请日2018-07-13

  • 分类号

  • 代理机构北京君泊知识产权代理有限公司;

  • 代理人王程远

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2023-06-19 07:40:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/52 申请日:20180713

    实质审查的生效

  • 2018-12-14

    公开

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