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基于磁控溅射的高温高电场下低损耗电容器薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种基于磁控溅射的高温高电场下低损耗电容器薄膜制备方法,通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高绝缘性能薄层,利用高绝缘性能薄层的宽能带隙,将其作为电荷阻挡层,从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流,进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率,达到提高其工作温度的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN108987112A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201810788798.9

  • 发明设计人 李琦;何金良;成桑;周垚;

    申请日2018-07-18

  • 分类号H01G4/33(20060101);H01G4/06(20060101);H01G4/08(20060101);H01G4/10(20060101);H01G4/18(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构11335 北京汇信合知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴凤仪

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2023-06-19 07:38:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G4/33 申请日:20180718

    实质审查的生效

  • 2018-12-11

    公开

    公开

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