界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括：衬底；栅介质层，位于所述衬底表面；栅极层，包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本发明能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。