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计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法

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摘要

本发明公开了一种计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法，该方法包括以下步骤：利用纳米线半径，纳米线长度，氧化物厚度，材料参数和沟道掺杂浓度，计算纳米线场效应晶体管的亚阈斜率因子α和阈值电压V

1. 计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法 [P] . 中国专利： CN108897945A . 2018-11-27
2. 具有堆叠的纳米线状沟道的场效应晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN107978630A . 2018-05-01
3. Multi bridge channel field effect transistors with nano-wire channels and methods of manufacturing the same [P] . 美国专利： US7427788B2 . 2008-09-23

机译：具有纳米线沟道的多桥沟道场效应晶体管及其制造方法
4. Multi bridge channel field effect transistor comprising nano-wire channels and method of manufacturing the same [P] . 韩国专利： KR100652381B1 . 2006-12-01

机译：包括纳米线沟道的多桥沟道场效应晶体管及其制造方法
5. Multi bridge channel field effect transistors with nano-wire channels and methods of manufacturing the same [P] . 美国专利： US2006091481A1 . 2006-05-04

机译：具有纳米线沟道的多桥沟道场效应晶体管及其制造方法