用于制造改进的NIR CMOS传感器的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造用于近红外探测的CMOS图像传感器(2；3)的方法(1)。所述方法(1)包括：a)提供硅晶片(20)；b)在硅晶片(24)的正面的一部分中执行锗注入；c)执行退火以引起注入的锗物质的热扩散，从而在暴露在硅晶片(24)的正面上的第一硅锗区域(27)中形成硅锗合金晶格；d)执行步骤b)和c)一次或多次；以及e)在从硅晶片(24)的正面向下延伸的第一硅锗区域(27)的部分中形成第一光电探测器有源区(28)，其中所述第一光电探测器有源区(28)对近红外和可见光辐射二者都敏感。该方法的特征在于所述第一光电探测器有源区(28)也形成在硅晶片(24)的在第一硅锗区域(27)的所述部分下方延伸的部分中。