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公开/公告号CN108793994A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201810930821.3
发明设计人 李玲霞;张博文;
申请日2018-08-15
分类号C04B35/462(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/634(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人张宏祥
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2023-06-19 07:12:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/462 申请日:20180815
实质审查的生效
2018-11-13
公开
机译: 一种用于在制造OLED显示器中使用的基质上产生激光的方法,该激光会导致有机材料从掺杂剂元素转移到该基质上;以及一种在使用OLED的显示器中制造导致原因的有机材料。有机材料从施主元素到基质的转移
机译: 高介电常数材料的轻施主掺杂电极
机译:NACA4V5O17:一种低射线微波介质陶瓷,具有低介电常数和与银的化学相容性,用于LTCC应用
机译:低介电常数和高Q值LI2MG3TI1-X(XN1 / 3NB2 / 3)(X)O-6微波介质陶瓷,用于5G毫米波中的微带天线应用
机译:通过掺杂活性较低的施主和施加压力,对施主-受主链化合物中的中性和离子相进行系统的调谐和切换
机译:Si-施主掺杂对调制掺杂的GaN / Al / sub 0.07 / Ga / sub 0.93多量子阱中激子局部化的影响
机译:掺杂和不掺杂铌酸铅铟:铌酸镁铅的温度稳定性得到改善的高介电常数陶瓷和薄膜的研究
机译:受体和施主掺杂对锆钛酸铅(PZT)中氧空位浓度的影响
机译:NACA4V5O17:一种低射线微波介质陶瓷,具有低介电常数和与LTCC应用的银的化学相容性
机译:在氧掺杂的氮化镓中强烈定位的施主水平