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一种支持上注的容错存储器控制器

摘要

本发明提供一种支持上注的容错存储器控制器,基于EDAC纠检错算法,将PROM和SRAM的统一控制模式分解为数据域和校验域的独立控制模式,从而构建了支持星载微处理器程序运行和校验元上注并行执行的模式。通过采用纠检错设计结构与可独立控制的配置寄存器相结合的策略,实现了空间程序的上注,在微处理器的存储器控制器中集成了用于纠检错的EDAC编码器和解码器,采用独立控制的编程模式,本发明具有显著的可扩展性,其不局限于片外存储器的类型、容量、数量,可以扩展编程配置寄存器而支持更多数量的外接存储器,具有良好的可移植性和可复用性,构成了可复用的IP,用于SoC系统快速设计。

著录项

  • 公开/公告号CN108763148A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN201810549646.3

  • 申请日2018-05-31

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 07:08:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F15/78 申请日:20180531

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    公开

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