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氧化硅的制备方法、包含该氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池

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本发明提供氧化硅的制备方法、包含所述氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池。所述氧化硅的制备方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室内的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应；其中所述高真空度在10

著录项

公开/公告号CN108751203A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-06

原文格式PDF
申请/专利权人 LG 化学株式会社;
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申请/专利号CN201810415143.7
发明设计人郑相允;郑汉纳;朴哲凞;金贤撤;林炳圭;
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申请日2013-10-15
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人陈海涛
地址韩国首尔
入库时间 2023-06-19 07:01:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/113 申请日:20131015

实质审查的生效
2018-11-06

公开

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