转换元件和具有这种转换元件的发射辐射的半导体器件

摘要

提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在有源区域(13)的背离多个第一结构元件(14)的侧上。此外，提出一种用于制造这种转换元件的方法。