具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法，该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结，先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高的N+型宽带隙半导体材料缓冲层，进而在N+型宽禁带缓冲层上形成掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延层，再以该N型宽带隙半导体外延层为基础利用晶体键合技术与N型硅半导体层结合，采用硅成熟工艺形成IGBT器件的有源区。本发明能够显著提高IGBT的击穿电压，改善器件性能。