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一种高性能的静电保护电路

摘要

本发明公开了一种高性能的静电保护电路,包括:一二极管保护电路,一高压产生电路,一检测电路,一缓存电路,一延时电路,一泄放电路。所述高压产生电路和延时电路,都由PMOS管和NMOS组合而成。所述缓存电路,由三个反相器、一个NMOS管、一个PMOS管、一个电阻和一个电容组成。在芯片正常工作的时候,静电保护电路不工作,当发生静电事件时,本发明能产生更高的电压来泄放静电产生的电流,也能增加泄放静电的时间,从而使得芯片具有更好的抗静电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108565849A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 丹阳恒芯电子有限公司;

    申请/专利号CN201810516332.3

  • 发明设计人 陈磊;

    申请日2018-05-26

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 212300 江苏省镇江市丹阳市齐梁路19号A座107室

  • 入库时间 2023-06-19 06:32:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02H9/04 申请日:20180526

    实质审查的生效

  • 2018-09-21

    公开

    公开

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