一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层采用的生长温度是低温。制备方法是在GaAs衬底上低温条件下生长一层GaAs缓冲层；然后再在GaAs缓冲层上继续依次生长高电子迁移率晶体管有源区结构：InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层。本发明通过生长低温GaAs缓冲层取代原有的缓冲层，目的是避免在高电子迁移率晶体管结构的缓冲层处形成平行电导，从而在器件工作时产生缓冲层漏电现象，这样可以提高器件的最大工作频率，同时有效地降低器件的阈值电压。