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CdTe QD@ZIF-8纳米复合材料在检测铬离子中的应用

摘要

本发明属于环境中样品检测技术领域,公开一种CdTe QD@ZIF‑8纳米复合材料在检测铬离子中的应用。将CdTe QDs@ZIF‑8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中,加入不同浓度的Cr6+和Cr3+离子的标准样品,化学稳定后,利用荧光光谱仪检测荧光强度,绘制F/F0随铬离子浓度变化的标准曲线;将CdTe QDs@ZIF‑8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中,加入不同含有铬离子的待测样品,化学稳定后,利用荧光光谱仪检测荧光强度,通过标准曲线确定待测样品中Cr6+的含量,同时根据荧光强度区分Cr6+和Cr3+。本发明直接相比于其他检测铬离子的方法,操作简单,成本低,离子抗干扰能力强,能够区分Cr3+和Cr6+,在铬离子检测中具有较大优势。

著录项

  • 公开/公告号CN108535227A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201810280315.4

  • 发明设计人 胡玉峰;张俊鹏;刘杰;邢瀚文;

    申请日2018-04-02

  • 分类号G01N21/64(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人李晓亮;潘迅

  • 地址 124221 辽宁省盘锦市辽东湾新区大工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 06:27:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N21/64 专利号:ZL2018102803154 申请日:20180402 授权公告日:20200117

    专利权的终止

  • 2020-01-17

    授权

    授权

  • 2018-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/64 申请日:20180402

    实质审查的生效

  • 2018-09-14

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于环境中样品检测技术领域,具体涉及一种CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料在检测环境样品中铬离子的应用。

背景技术

铬是一种重要的金属元素,常见于岩石、火山灰和动植物体中,在制造不锈钢、电镀、皮革鞣制、印染等方面有广泛应用。铬在自然界中主要以六价铬(Cr6+)和三价铬(Cr3+)两种形式存在。铬的毒性与铬的价态密切相关,其中Cr3+是人体必需的微量元素,而Cr6+则对人体有害,由于其具有强氧化性和细胞渗透性,极易被人体吸收并在细胞内蓄积,产生剧毒和致癌性。Cr3+毒性较低,在某些情况下需要区分其是否被氧化成Cr6+,因此检测环境中的铬离子是非常重要的。针对环境中高毒性的铬污染,目前检测铬离子的方法主要有电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)、石墨炉原子吸收光谱法(GFAAS)、光电化学法(PEC)等,但其中大部分方法成本较高、操作复杂且无法区分铬离子价态。因此,亟需开发一种能够快速简单、成本低廉且持之有效的方法来检测环境中的铬离子含量并区分Cr6+和Cr3+

金属有机框架(MOFs)作为一种新型的具有高比表面积、尺寸可调和较好的化学稳定性的多孔材料,已被用于化学催化、气体储存与分离、离子交换和传感器等多个领域。最近,人们通过将不同类型的纳米颗粒(NPs)以良好分散的方式并入MOFs的晶体内来构建新型的功能化NPs@MOFs复合材料,从而赋予MOFs材料新的功能。量子点(QDs)是一种尺寸范围为2-10nm的半导体纳米晶体,它具有宽吸收、窄发射、发射波长尺寸相关性等特点,已经被广泛应用于目标物的检测研究中。Buso等人合成了QD@MOF-5复合材料并将其作为MOF-5笼内分子的尺寸选择性扩散的敏感实时探针(Buso D,Jasieniak J,Lay MDH,et al.Small,2012,8,80-88)。Zhao等人合成了一种ZnO@MOF纳米复合材料并将其作为检测磷酸盐的荧光检测平台(Zhao D,Wan X,Song H,et al.Sens.Actuators,B.2014,197,50-57)。以上报道表明,该类荧光功能化复合材料在化学传感方面的可行性,因此通过合成此类制备简单、成本低廉、检测灵敏度较高的荧光功能化复合材料,极有可能解决在检测铬离子方面所遇到的环境样品组分复杂、含量较低、大型仪器检测昂贵、操作复杂,小型仪器无法快速灵敏检测的难题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于为CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料提供一种新的应用。

解决上述技术问题所采取的技术方案是:CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料在检测铬离子中的应用,具体检测方案如下:

将CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料分散于pH=7.0的HEPEs缓冲溶液(10mM)中,其中,CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料的浓度为50-250mg/L;再加入不同浓度的Cr3+和Cr6+离子的标准样品,化学稳定15min后,利用荧光光谱仪检测荧光强度,绘制F0/F随Cr6+离子浓度变化的标准曲线。

将CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料分散于pH=7.0的HEPEs缓冲溶液(10mM)中,其中,CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料的浓度为50-250mg/L;再加入待测样品,化学稳定15min后,利用荧光光谱仪检测荧光强度,判断溶液中有无Cr3+和Cr6+,并根据绘制F0/F随Cr6+离子浓度变化的标准曲线读出待测样品中的Cr6+含量,因此,根据荧光强度即可区分Cr3+和Cr6+的存在。

本发明的检测原理是:由于CdTe QDs@ZIF-8保留了MOFs材料比表面积大和多孔的性质,因此其对于Cr3+和Cr6+具有差异性吸附能力,可以将金属离子吸附到CdTe>6+使得CdTe>3+与CdTeQDs@ZIF-8内部的量子点之间无荧光内滤作用存在,无法有效引起荧光猝灭。相关结果表明荧光强度与Cr6+浓度负相关,通过检测荧光猝灭的效率,即可检测样品中的Cr6+浓度,并判断有无Cr3+的存在。

本发明的有益效果为:直接以CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料作为检测试剂,利用Cr6+离子能够使纳米复合材料的荧光猝灭,并且与其浓度有明显的指数关系,而Cr3+离子则不能明显猝灭该复合材料的荧光的差异,从而利用荧光分光光度法即可区分Cr3+和Cr6+,并对Cr6+进行定量检测。其中CdTe>3+和Cr6+,因此在未来铬离子检测中具有较大的优势。

附图说明

图1是利用CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料的制备及检测铬离子的示意图。

图2是所合成CdTe QDs@ZIF-8(A)与ZIF-8(B)的透射电子显微镜(TEM)图像。

图3是所合成CdTe QDs@ZIF-8与ZIF-8的X射线衍射(XRD)图像。

图4是所合成CdTe QDs@ZIF-8对不同浓度的Cr6+的荧光响应曲线(A)以及荧光淬灭率与Cr6+浓度的拟合曲线(B);图4A中箭头方向代办浓度依次增大。

图5是所合成CdTe QDs@ZIF-8对不同浓度的Cr3+的响应;图5中箭头方向代办浓度依次增大。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明,但本发明的保护范围不仅限于这些实施例。

将CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料应用在检测溶液中的铬离子,CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料的制备方法为:

取干燥的CdTe QDs(根据Wu S,Dou J,Zhang J,et al.J.Mater.Chem.,2012,22,14573-14578所公开的方法制备)于50mL反应瓶中,加入六水合硝酸锌,加入超纯水溶解,避光搅拌30min;取2-甲基咪唑超声分散于去离子水中,将2-甲基咪唑溶液与反应瓶中的溶液在搅拌的条件下混合。此时合成液中各成分的摩尔比为Zn2+:2-甲基咪唑:水=1:70:1238。经过24h的恒温磁力避光搅拌之后,使用离心机(10000r/min)对溶液进行固液分离,得到的样品用超纯水洗涤多次,直至上层清液无荧光而下层固体有荧光。将洗涤后的固体在40℃下真空干燥过夜,即可得所要的CdTe>

上述制备方法中CdTe QDs固体的制备方法如下:取CdTe QDs溶液并加入1.2倍体积的乙醇,以8000r/min的转速离心5min,过滤,在40℃过夜真空干燥后,即可得CdTe QDs固体。

以下是CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料在检测铬离子中应用的具体实施例:

实施例1

在20mL(1.33mM)的CdTe QDs溶液中加入24mL的乙醇溶液,在8000r/min下离心5min,取下层固体至反应瓶中,加入200μL的超纯水复溶,加入0.01046g六水合硝酸锌,避光恒温磁力搅拌30min。然后用585μL的超纯水将0.20224g的2-甲基咪唑超声分散溶解,并加入反应瓶中。经过24h的恒温磁力避光搅拌之后,使用离心机(10000r/min)对溶液进行固液分离,得到的样品用超纯水洗涤多次,直至上清液无荧光而下层固体有荧光。将洗涤后的固体在40℃下真空干燥过夜,即可得所要的CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料。利用透射电子显微镜和X射线衍射仪对所合成的CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料进行表征,所得到的透射电子显微镜图(TEM)和X射线衍射图(XRD)分别如图2和图3所示。实验结果表明所得CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料尺寸约为100nm,与ZIF-8的尺寸相当,CdTe QDs均匀分布在ZIF-8的表面和内部,且未破坏ZIF-8完整的晶体结构。以上结果表明其CdTe QDs成功地嵌入到ZIF-8多孔材料中,CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料制备成功。

由于相关报道称,在酸性条件下,ZIF-8结构不稳定,且根据相关实验表明,在pH<6.0时,量子点溶液的荧光会发生较明显的猝灭,而在碱性条件下,重金属离子易形成固体氢氧化物,影响实验结果。故选用pH=7.0的中性HEPEs缓冲液作为反应体系,进行下一步研究。利用pH=7.0的中性HEPEs缓冲液配置标准的CdTe QDs@ZIF-8溶液和铬离子溶液,在浓度为150mg/L的CdTe QDs@ZIF-8溶液分别加入一系列浓度Cr6+溶液(0-40μM)和Cr3+溶液(0-40μM),并利用荧光光谱检测仪检测其荧光强度,具体实验结果如图4A和图5所示。

结果表明,Cr6+离子能有效引起材料荧光的猝灭,且材料荧光强度与Cr6+离子的浓度成负相关,拟合方程为:(图4B),因此可根据拟合方程计算得到未知样品中Cr6+离子的含量;而Cr3+离子并未有效引起荧光猝灭,且荧光强度与Cr3+离子的浓度无明显的相关关系,将此作为分辨Cr6+和Cr3+离子的依据。

为了确定本发明的效果,发明人进行了大量的实验室样品研究,具体试验情况如下:

1)干扰性实验

固定CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料浓度为150mg/L,缓冲液pH值为7等条件,保持测试溶液中Cr6+离子浓度为20μM,然后加入对不同类型(Al3+、Fe2+、Fe3+、Cr3+、MnO4-)和不同浓度的干扰物(Cr6+:干扰物=1:5、1:1、5:1)进行荧光强度检测,将荧光淬灭效率和与Cr6+单独存在时的标准偏差列于表1中。

表1.干扰性实验结果表

由表可知,干扰物所带来的标准偏差-2.18%─+1.68%之间,表明干扰物对CdTeQDs@ZIF-8纳米复合材料的检测无任何影响。

2)实际样品分析

为了研究所合成的CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料在实际样品中检测铬离子的可行性,选取实际环境样品(自来水)进行加标分析,分析结果如下表2所示:

表2.自来水加标实验结果表

Cr6+加标浓度(μM)Cr6+检测浓度(μM)RSD回收率76.11±0.193.18%87%1815.77±0.231.51%88%3227.26±0.461.70%85%

将已知浓度的Cr6+加标到自来水样品中,回收率为85%-88%,说明CdTe>6+的潜力。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式,但并不能因此而理解为对本发明专利的范围的限制,应当指出,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些均属于本发明的保护范围。

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