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一种基于石墨烯自身缺陷制作标准漏孔的方法

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯自身缺陷的标准漏孔的方法,首先在铜箔上制作单层石墨烯,在石墨烯上涂一层聚甲基丙烯酸甲酯,使用铜腐蚀液去除铜箔,然后将石墨烯放到已打好孔的硅片上,干燥约1小时完成石墨烯的转移,最后将硅片放在KF40密封法兰上,使用Torr‑Seal胶均匀涂在硅片的四周,静置12小时以上固化制得单层石墨烯标准漏孔。本发明提出了一种新颖的制作标准漏孔的方法,可以通过控制石墨烯的层数控制通道的尺寸,获得所需要漏率的标准漏孔,因此,该标准漏孔漏率大小可控性好、漏率范围宽、可实现微小漏率测量,可保证通道中气体处于分子流状态。

著录项

  • 公开/公告号CN108507719A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201810253643.5

  • 申请日2018-03-26

  • 分类号G01M3/00(20060101);C01B32/194(20170101);

  • 代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人何梅生

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 06:25:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01M3/00 申请日:20180326

    实质审查的生效

  • 2018-09-07

    公开

    公开

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