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一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法,其中,所述器件包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极,所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面,在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层,所述第一电极为全反射电极,所述第二电极为透明电极,所述第三电极为半透明电极。本发明实现了单个像素点的独立发光要求以及微腔效应对器件发光的单色性和发光效率的增强;同时本发明还优化了器件的微腔结构,并简化了工艺过程,整体提高了器件的集成度,降低了器件的制备难度。

著录项

  • 公开/公告号CN108461643A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCL集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201710097435.6

  • 申请日2017-02-22

  • 分类号H01L51/52(20060101);H01L51/50(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王永文;刘文求

  • 地址 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

  • 入库时间 2023-06-19 06:20:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/52 申请日:20170222

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    公开

    公开

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