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用于测量存在薄层时的高度的装置和方法

摘要

本发明涉及一种用于测量诸如晶片等测量对象(24)的高度和/或厚度的装置,包括:(i)第一低相干干涉仪,布置成将参考光束(17)和源自所述光在测量对象(24)的界面上的反射的测量光束(16)组合在光谱仪(18)中,以便产生具有光谱调制频率的带光谱信号(41);(ii)用于改变测量光束(16)和参考光束(17)的相对光学长度的移动单元(21),和用于测量表示所述相对光学长度的位置信息的单元;(iii)电子和计算单元(20),布置成确定表示测量光束(16)和参考光束(17)之间的光程差的至少一个光谱调制频率,并使用所述位置信息和所述至少一个光谱调制频率来确定所述测量对象(24)的至少一个高度和/或厚度;以及(iv)第二光学单元(27),用于利用第二测量光束(28)来测量距离和/或厚度,其中该第二测量光束入射到测量对象(24)上的与测量光束(16)相反的第二面上。本发明还涉及在所述装置中实施的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN108431545A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 统一半导体公司;

    申请/专利号CN201680074722.9

  • 申请日2016-12-07

  • 分类号

  • 代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人侯丽英

  • 地址 法国蒙特邦奥圣马尔坦

  • 入库时间 2023-06-19 06:17:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01B9/02 申请公布日:20180821 申请日:20161207

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B9/02 申请日:20161207

    实质审查的生效

  • 2018-08-21

    公开

    公开

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