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用以制备氧化锌纳米柱阵列场发射组件的方法

摘要

本发明适用于氧化锌纳米柱制备技术领域,提供了一种用以制备氧化锌纳米柱阵列场发射组件的二段式蚀刻方法。包括:以水热法生成一氧化锌纳米柱;对所述氧化锌纳米柱实施炉管退火;以一酸性相对较低的酸湿式蚀刻所述氧化锌纳米柱的尖端;以及溅射性蚀刻所述氧化锌纳米柱的所述尖端,使所述尖端呈现一角度,所述湿式蚀刻的蚀刻参数可加以调整以得到不同的所述角度。本发明通过二段式蚀刻程序,即结合湿式蚀刻及溅射性蚀刻,可简易控制氧化锌纳米柱的尖端角度,并可大幅提升垂直对准的氧化锌纳米柱发射组件的场发射特性,即大幅降低氧化锌纳米柱阵列场发射组件的启动电场并大幅增加氧化锌纳米柱阵列场发射组件的场增益系数值。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-31

    专利权的转移 IPC(主分类):H01J 9/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20130708 申请日:20090917

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-01-23

    授权

    授权

  • 2011-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20090917

    实质审查的生效

  • 2011-04-20

    公开

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