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公开/公告号CN108345759A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国航天建设集团有限公司;
申请/专利号CN201810203133.7
发明设计人 李捷;张静远;陈霰;郭海滨;吕喜祥;
申请日2018-03-13
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人金相允
地址 100071 北京市丰台区西四环南路83号
入库时间 2023-06-19 06:00:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180313
实质审查的生效
2018-07-31
公开
机译: 具有具有杂质浓度分布的半导体区域的半导体器件,其从相应的峰值朝向不同的半导体层减小
机译: 具有在导电沟槽之间具有台面区域并具有多浓度掺杂分布的肖特基器件的制造方法
机译: 跟踪区域中特定物质的小时浓度分布的方法。
机译:区域断层区近表面区甲烷和二氧化碳浓度的分布及其在PSZCZYNA-OSWIECIM区域的遗传表征(POLAND的上部SELESIAN煤池的一部分)
机译:CFB底部区域的轴向压力分布和固体浓度分布
机译:PCB污染区域中特定于人类的PCB浓度的空间分布
机译:从1SI熔体(1)断开的晶体中的点缺陷分布观察:DLT的每个主导区域的空穴浓度
机译:铅锌冶炼厂周围区域的有机沉积物的元素特征:浓度,分布,发生方式和迁移率。
机译:微球向肝转移的区域传递:粒径和浓度对肝内分布的影响。
机译:通过氧气最小区域审查综合素垂直分布的稿件:组装和壳体形态学如何反映达维斯和共忠诚的氧气浓度
机译:带有区域供热厂的双层高层建筑周围浓度分布的物理模拟