使大功率LED恒流驱动芯片适应输入电压变化的方法

摘要

使大功率LED恒流驱动芯片适应输入电压变化的方法。传统芯片典型应用方案输入电压变化幅度不超过±10%，如果超过该范围，输出电流精度误差将显著增加。使大功率LED恒流驱动芯片适应输入电压变化的方法，当输入电压VIN接通后，电压调节器高压LDO开始工作，为模拟控制电路部分提供5 V的电源VOUT。当欠压锁存单元(UVLO)监测到LDO的输出达到4 V时，会向偏置电路模块、过热保护电路模块、逻辑控制电路模块和驱动电路模块发出使能信号(EN)，此时芯片整个系统开始工作，内置NLDMOS功率器件M1导通，电感L的电流开始上升，由于采样电阻RSNS上的电流等于电感L上的电流，该电流流过反馈电阻RSNS后，产生一个反馈电压VSNS，VSNS会通过Vfb引脚反馈到芯片内部，而Vfb引脚内会产生一个由芯片内部基准产生的参考电压Vref(设计芯片为200 mV)，此时芯片中的比较器会将反馈电压VSNS和参考电压Vref进行比较，如果反馈电压VSNS低于参考电压Vref，那么芯片会使内部的NLDMOS导通，导通的时间TON是由与clt引脚相连的电阻RON和输入电压VIN所决定的。导通时间TON结束后，NLDMOS会关断一个时间，把这个时间称之为最小关断时间TOFF‑MIN(设计的芯片最小关断时间为200 ns)。最小关断时间TOFF‑MIN结束以后，芯片对VSNS和参考电压Vref进行比较，如果VSNS小于Vref，M1导通，开始下一次的循环工作，再次比较反馈电压VSNS和参考电压Vref之间的大小。本发明用于大功率LED恒流驱动芯片的外界环境适应。