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一种制备SiGe热电材料的方法

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本发明公开了一种制备SiGe热电材料的方法。该方法按照确定的摩尔比，将Si粉末、Ge粉末、B粉末或P块体混合，在Ar惰性气氛保护条件下装入硬质钢球磨罐，使用行星式球磨机进行球磨合金化得到单相的SiGe热电材料粉末。将单相的SiGe热电材料粉末在1150℃进行放电等离子体烧结成致密块体。本发明的制备SiGe热电材料的方法制备的P型和N型SiGe合金均具有较高的电导率、Seebeck系数及功率因子。本发明的制备SiGe热电材料的方法合成速度快、简便、效率高，应用前景广阔。

著录项

公开/公告号CN108258110A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国工程物理研究院核物理与化学研究所;
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申请/专利号CN201810046780.1
发明设计人李静;韩军;姜涛;向永春;
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申请日2018-01-18
分类号H01L35/34(20060101);H01L35/22(20060101);
代理机构51210 中国工程物理研究院专利中心;
代理人翟长明;韩志英
地址 621999 四川省绵阳市919信箱214分箱
入库时间 2023-06-19 05:49:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-31

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/34 申请日:20180118

实质审查的生效
2018-07-06

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