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差共模集成电感及其散磁屏蔽结构

摘要

本发明提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。该散磁屏蔽结构,包括磁芯,所述磁芯具有气隙,所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部,所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接,所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。本发明利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部,从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来,以阻挡散磁外漏,并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去,解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108257768A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市雅玛西电子有限公司;

    申请/专利号CN201810019222.6

  • 发明设计人 吴雁行;成伟;庞雷宇;

    申请日2018-01-09

  • 分类号

  • 代理机构深圳市中智立信知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁韬

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区西丽街道高新科技园北区朗山路同方信息港D栋2楼

  • 入库时间 2023-06-19 05:49:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F27/24 申请日:20180109

    实质审查的生效

  • 2018-07-06

    公开

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