导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件

摘要

本发明涉及一种导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件。该制备方法包括如下步骤：在基板上镀制阻挡层，阻挡层的材质为二氧化硅、氮化硅及二氧化钛中的至少一种；在阻挡层远离基板的一侧镀制第一ITO层；在第一ITO层远离阻挡层的一侧镀制增强层，增强层的材料为银或石墨烯；及以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制第二ITO层，得到导电薄膜。通过上述制备方法能够于低温下制备具有较高可见光透过率且较低电阻率的导电薄膜。