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一种准二维纳米多孔金属的制备方法

摘要

本发明公开了一种准二维纳米多孔金属的制备方法。先用真空熔炼或者真空溅射与单辊旋淬方法制备合金前体,然后在无机酸溶液或无机碱溶液中自由腐蚀去合金化,或采用电化学腐蚀方法在固体合金的外表面或内表面上制备出主曲率之一为负的片层状纳米多孔结构金属。本发明的制备工艺简单、可重复性强、普适性高,形成的材料为准二维片状纳米多孔金属,开创了准二维片状纳米多孔金属材料的制备方法,有望拓展纳米多孔金属应用范围。

著录项

  • 公开/公告号CN108220649A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN201810043300.6

  • 发明设计人 王凯;习卫;丁轶;

    申请日2018-01-17

  • 分类号C22C1/08(20060101);C22C3/00(20060101);C23F1/44(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人张宏祥

  • 地址 300384 天津市西青区滨水西道391号(天津理工大学主校区)

  • 入库时间 2023-06-19 05:48:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C1/08 申请日:20180117

    实质审查的生效

  • 2018-06-29

    公开

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