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公开/公告号CN108255283A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;
申请/专利号CN201711446066.3
发明设计人 五味贤彦;长泽龙;稻见岳;
申请日2017-12-27
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人李辉
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 05:48:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F1/32 申请日:20171227
实质审查的生效
2018-07-06
公开
机译: 用于制造具有非晶氧化物膜的半导体器件的方法,设备和非暂时性计算机可读记录介质
机译: 半导体激光器的温度控制方法,半导体激光器的温度控制装置以及非暂时性计算机可读介质
机译: 用于配方的设备控制系统,器件控制方法和非暂时性计算机可读介质
机译:研究人员提交了专利申请“三维测量设备,模型生成设备,其处理方法和非暂时性计算机可读存储介质”以供批准。
机译:计算机可读存储介质存储软件执行控制程序,软件执行控制方法和软件执行控制系统已颁发专利
机译:具有亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅极电介质非晶LaGdO_3栅金属氧化物半导体器件
机译:用于多半导体器件的非Arrhenius温度加速度和应力依赖性电压加速度涉及多种故障机制的半导体器件
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:利用医疗用纳米非晶氧化物半导体器件实现PPI
机译:非晶半导体的结构和电子结构的计算机模拟。 =非晶半导体的结构和电子结构的计算机模拟。
机译:用于在多个离散图像之间导航的方法和计算机可读介质。