公开/公告号CN108190918A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 天津科创复兴科技咨询有限公司;
申请/专利号CN201810180442.7
发明设计人 沈静;
申请日2018-03-05
分类号
代理机构合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈思聪
地址 301700 天津市武清区京滨工业园京滨睿城4号楼505室-40(集中办公区)
入库时间 2023-06-19 05:42:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01C1/16 申请公布日:20180622 申请日:20180305
发明专利申请公布后的驳回
2018-07-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C01C1/16 申请日:20180305
实质审查的生效
2018-06-22
公开
公开
机译: 一种利用硅的自匹配结晶与金属的自匹配结晶的半导体器件用于TFT,顶栅形式TFT的空顶栅形式的薄膜晶体管的生产方法
机译: 一种利用FAC工艺制造低温多晶硅硅TFT-LCD阵列基板的方法,特别是在结晶化和最小化结晶化缺陷后降低金属杂质的方法
机译: 一种控制结晶器侧壁变形的方法以及连铸结晶器