有机发光二极管和白光有机发光二极管

摘要

一种有机发光二极管和白光有机发光二极管。有机发光二极管依序包括阳极、发光层、电子传输层和阴极。发光层包括三重态‑三重态消灭材料以及施体材料。所述三重态‑三重态消灭材料的三重态能量的两倍高于单重态能量。施体材料配置于阳极与三重态‑三重态消灭材料之间，且具有第二单重态能量与第二三重态能量。触发材料掺杂于发光层内或者通过施加电压而形成于三重态‑三重态消灭材料与所述施体材料之间。触发材料具有第三单重态能量与第三三重态能量。第三单重态能量与第三三重态能量均小于第二单重态能量。所述有机发光二极管能够大幅降低激子‑极化子消灭行为，且驱动电压较低，兼具高效率及长寿命。

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管，且是有关于一种有机发光二极管和白光有机发光二极管。

背景技术

在有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)中，可利用红绿蓝三原色组合成白光。而在有机发光二极管的发展过程中，从第一代的荧光系统、第二代的磷光系统到第三代的热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence，TADF)系统，虽然在效率上有很大的进展，且红光及绿光的组件寿命也非常长，但是蓝光的寿命始终是一个瓶颈。

其中，很大的一问题来自于蓝光组件中的激子-极化子消灭(exciton-polaronannihilation)。举例来说，蓝光三重态激子能量约为2.8eV(T₁)，由于其激子寿命(excitonlifetime)甚长(～μs)，有机会与极化子作用，将能量转移至极化子(D₀)，极化子本身已经具备一定的能量(～3.3eV)，因此会形成高能量(>6eV)的极化子(D_n^*)，这样高能量的极化子(hot>

在蓝光热活化延迟荧光组件中也有相同的问题，亦即激子寿命甚长(～1-10μs)，因此有不可避免的高能量激子-极化子消灭反应。

因此，亟需一种能够大幅降低激子-极化子消灭行为，且有机会制成高效率及长寿命的蓝光及白光有机发光二极管。

发明内容

本发明实施例提供一种有机发光二极管，能够大幅降低激子-极化子消灭行为，且驱动电压较低，兼具高效率及长寿命。

本发明实施例提供一种白光有机发光二极管，可藉由混合色光以产生白光。

本发明实施例的有机发光二极管可包括阳极、阴极、发光层、电子传输层以及触发材料。发光层配置于所述阳极与所述阴极之间，所述发光层可包括三重态-三重态消灭(triplet-triplet annihilation，TTA)材料(亦称为“TTA材料”)以及施体材料。所述TTA材料具有第一单重态能量与第一三重态能量，所述第一三重态能量的两倍高于所述第一单重态能量。所述施体材料配置于所述阳极与所述TTA材料之间，且具有第二单重态能量与第二三重态能量。电子传输层配置于所述阴极与所述发光层之间。触发材料可掺杂于所述发光层内或者通过施加电压而形成于所述TTA材料与所述施体材料之间。所述触发材料具有第三单重态能量与第三三重态能量，所述第三单重态能量与所述第三三重态能量均小于所述第二单重态能量。

本发明实施例的白光有机发光二极管可包括阳极、阴极、发光层、电子传输层以及触发材料。发光层配置于所述阳极与所述阴极之间，所述发光层可包括三重态-三重态消灭材料以及施体材料。所述TTA材料具有第一单重态能量与第一三重态能量，所述第一三重态能量的两倍高于所述第一单重态能量。所述施体材料配置于所述阳极与所述TTA材料之间，且具有第二单重态能量与第二三重态能量。电子传输层配置于所述阴极与所述发光层之间。触发材料可掺杂于所述发光层内或者通过施加电压而形成于所述TTA材料与所述施体材料之间。所述触发材料具有第三单重态能量与第三三重态能量，所述第三单重态能量与所述第三三重态能量均小于所述第二单重态能量。其中，所述第三单重态能量放出黄光或黄绿光，所述第三三重态能量转移给所述TTA材料以触发三重态-三重态湮灭上转换(triplet-triplet annihilation up-conversion，TTAUC)，使得所述第一单重态能量放出蓝光，藉由混合所述黄光与所述蓝光、或混合所述黄绿光与所述蓝光以产生白光。

为让本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的实施例的一种有机发光二极管的示意图；

图2A是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的能带示意图；

图2B是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的各材料的单重态及三重态能级示意图；

图3是依照本发明实施例的实验例1与比较例的有机发光二极管的电压-亮度曲线图；

图4是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的发光频谱；

图5是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的关闭瞬间特性图；

图6是依照本发明实施例的比较例的有机发光二极管的关闭瞬间特性图；

图7是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图；

图8是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管，蓝光对黄光在不同电流密度下的发光比例图；

图9是依照本发明实施例的实验例2与实验例3的有机发光二极管的电压-亮度曲线图；

图10是依照本发明实施例的实验例2的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图；

图11是依照本发明实施例的实验例3的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图。

【符号说明】

100、200：有机发光二极管

102、202：阳极

104、204：阴极

106：发光层

108：电子传输层

206：施体材料

208：TTA材料

210：电子传输层

212：激态基态复合物

S₀：基态能级

S₁：单重态能级

T₁：三重态能级

具体实施方式

图1是依照本发明的实施例的一种有机发光二极管的示意图。

请先请参照图1。本发明的有机发光二极管100包括阳极102、阴极104、发光层106、电子传输层108以及触发材料(未绘示)。发光层106配置于阳极102与阴极104之间，发光层106可包括三重态-三重态消灭(TTA)材料以及施体材料。所述TTA材料具有第一单重态能量与第一三重态能量，所述第一三重态能量的两倍高于所述第一单重态能量。所述施体材料配置于所述阳极与所述TTA材料之间，且具有第二单重态能量与第二三重态能量。电子传输层108配置于阴极104与发光层106之间。触发材料可掺杂于发光层106内或者通过施加电压而形成于TTA材料与施体材料之间。所述触发材料具有第三单重态能量与第三三重态能量，所述第三单重态能量与所述第三三重态能量均小于所述第二单重态能量。

详细而言，触发材料的第三单重态能量与第三三重态能量均介于TTA材料的第一三重态能量与第一单重态能量之间。触发材料可为磷光材料、热活化延迟荧光(thermallyactivated delayed fluorescence，TADF)材料或激态基态复合物(exciplex)。作为触发材料的磷光材料可先掺杂进一主体材料中(以避免浓度猝灭)，再掺杂于发光层106内。主体材料可包括但不限于4,4′-N,N′-二咔唑-联苯(4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl，CBP)，其单重态能量为3.1eV，三重态能量为2.58eV。磷光材料所搭配的施体材料需要根据磷光材料的最高占据分子轨域(highest occupied molecular orbital，HOMO)来决定，施体材料及磷光材料的最高占据分子轨域必须相近来达到载子直接注入的效果以降低驱动电压。而若是以TADF当作触发材料时，则将前述的磷光材料置换成TADF即可。

磷光材料可包括但不限于三(2-苯基吡啶)合铱(III)(tri[2-phenylpyridinato-C2,N]iridium(III)，Ir(ppy)₃)或二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III)(Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)，Ir(piq)2acac)。其中，Ir(piq)2acac的单重态能量为2.44eV，三重态能量为1.93eV。TADF材料可包括但不限于2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-对苯二腈(2,3,5,6-tetrakis(3,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyano-benzene，4CzTPN-Ph)、2-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-10,10-二氧化物-9H-噻吨-9-酮(2-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-10,10-dioxide-9H-thioxanthen-9-one，TXO-PhCz)或2-[对-N,N-二苯基氨基-苯基]-S-二氧硫杂蒽酮(2-[4-(diphenylamino)phenyl]-10,10-dioxide-9H-thioxanthen-9-one，TXO-TPA)。其中，TXO-TPA的单重态能量为2.5eV，三重态能量为2.46eV。

作为触发材料的激态基态复合物可通过在阳极102和阴极104之间施加电压而形成于TTA材料与施体材料之间。

此外，在本发明的实施例中，所述电子传输层的电子迁移率较佳是大于10^-6cm/Vs。另外，在本发明的实施例中，亦包括其中存在额外层的具体实施例，例如配置于TTA材料与触发材料之间的障壁层。详细而言，所述障壁层可为兼具三重态能量转移和阻挡单重态能量转移的障壁层(triplet>

除此之外，本发明实施例的有机发光二极管还可包括空穴注入层、电子注入层、电子障壁层或空穴障壁层等。这些额外层是所属技术领域中普通技术人员已知，因此将不作详细论述。

接着在以下的说明中，为了容易理解本发明实施例的有机发光二极管或白色有机发光二极管，示例性地以激态基态复合物作为触发材料来进行描述，但应理解，一或多个其他示例性实施例并非仅限于此。

在本发明的一实施例中，发光层106包括三重态-三重态消灭(triplet-tripletannihilation，TTA)材料，其所具有的第一三重态能量的两倍高于其所具有的第一单重态能量，以便藉由各层(阳极102、发光层106(施体材料、TTA材料)、电子传输层108以及阴极104)之间的配置，当在阳极102与阴极104之间施加电压时，会于施体材料与TTA材料之间形成激态基态复合物(exciplex)，而使得激态基态复合物的三重态能量可以转移至TTA材料上，同时抑制TTA材料的第一单重态能量被激态基态复合物所淬灭(quenching)，有助于后续反应进行。详细而言，所述施体材料可包括4,4’,4”-三(甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenyl amino)triphenylamine，m-MTDATA)、N,N′-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N′-二苯基-联苯-4,4′-二胺(N1,N1′-(biphenyl-4,4′-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diam ine)，DNTPD)、4,4′,4"-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(4,4′,4"-Tris(N-(naphthalen-1-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamine，1T-NATA)或4,4′,4”-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(4,4′,4”-Tris(2-naphthyl(phenyl)amino)triphenylamine，2T-NATA)，但不限于此。

而作为触发材料的激态基态复合物所具有的第三单重态能量与第三三重态能量可以互相转换，且第三单重态能量与第三三重态能量都介于TTA材料的第一单重态能量与第一三重态能量之间，而第三单重态能量可放出第一色光，例如是长波长的红光或绿光，但不限于此。当第三三重态能量转移至TTA材料，会触发三重态-三重态湮灭上转换(triplet-triplet annihilation up-conversion，TTAUC)，使得TTA材料的第一单重态能量放出第二色光。也就是说，TTA材料相对于激态基态复合物具有较宽的能隙范围，而宽能隙的TTA材料只负责发光，而不负责载子传输的角色，故而有助于寿命提升。此外，相对于宽能隙的TTA材料，激态基态复合物的能隙介于较窄能隙范围之间，因此不需要太大的能量，即可形成激态基态复合物，引发一连串的发光反应。

在本实施例中，由于是以激子寿命甚短(～ns)的单重态发光，所以能够大幅降低激子-极化子消灭行为，提升发光寿命。

再者，依照本发明的实施例，激态基态复合物的第三三重态能量会转移给TTA材料作为TTAUC使用，所以不会像先前技术般，浪费掉占据总能量75％的三重态能量，故而功率效率大幅提升。

另一方面，依据TTA材料选择的不同，放出的第二色光可例如是短波长的蓝光，或是长波长的红光、黄光或黄绿光，但不限于此。视需要，TTA材料可与掺杂剂一起用于发光层中(意即：发光层还可包括掺杂剂)，所述掺杂剂具有第五单重态能量与第五三重态能量，所述第五单重态能量与所述第五三重态能量均小于所述第一单重态能量。放出红光的发光层可包括但不限于含有红荧光掺杂剂和红萤烯(作为TTA材料)。所述红荧光掺杂剂可包括但不限于五苯环(pentacene)或4-(二氰乙烯基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久落尼定基-4-乙烯基)-4氢-吡喃(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran，DCJTB)。放出黄光或放出黄绿光的发光层可包括但不限于红萤烯(作为TTA材料)。放出蓝光的发光层可包括但不限于含有蓝荧光掺杂剂和红萤烯(作为TTA材料)。所述蓝荧光掺杂剂可包括但不限于4,4′-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(4,4′-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl，DPAVBi)或1,4,7,10-四叔丁基二萘嵌苯(1,4,7,10-Tetra(tert-butyl)perylene，TBP)。其中，DPAVBi具有以下化学结构：

此外，于发光层放出蓝光的情况下，TTA材料可包括但不限于蒽衍生物、芘衍生物或苝衍生物。所述蒽衍生物可包括但不限于9,10－双－(2－萘基)蒽(9,10-Di(2-naphthyl)anthracene，ADN)、2-甲基-9,10－双－(2－萘基)蒽、2－叔丁基－9,10－双－(2－萘基)蒽或9,9’－双蒽。

此外，由于触发材料(例如为磷光材料、TADF材料或激态基态复合物)和TTA材料都能发光，所以可藉由混合色光而组成白光，进而获得白光有机发光二极管。举例来说，当所述第一色光为黄光或黄绿光、所述第二色光为蓝光时，藉由混合黄光与蓝光、或混合黄绿光与蓝光能产生白光，故可得白光有机发光二极管。其中，放出黄光或黄绿光的TTA材料可包括红萤烯，但不限于此。

就调整白光色度而言，可在一层或多层中添加其他材料，举例来说，可添加DCJTB。

再者，在本实施例中，有机发光二极管100可使用透明电极以作为阳极102或阴极104使用。透明电极的材料可例举氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锌锡(indiumzinc oxide，IZO)等。然而，本发明并不限于此，视发光方向而定，亦可选用不透明且反射性佳的电极材料。阴极104材料亦可为单层或多层，以双层材料为例，可列举包括LiF层与Al层，但不限于此。

在本实施例中，有机发光二极管100可经由任何适当的方法将各种层形成于基板上而制得，其中较佳为例如热蒸镀的真空沉积。此外，基板可选用刚性基板或软性基板。刚性基板例如是玻璃或硅晶圆，软性基板例如是塑料。

以下，使用已知用于制造有机发光二极管的材料及方法，列举本实施例的具体实验例与比较例来确认本发明实施例的功效，但本发明的范围并不局限于以下内容。

下述实验例与比较例所制得的有机发光二极管，可经由以下的量测方法来测定：

<电压-亮度曲线的量测方法>

将OLED组件接上电源供应器(Keithley 2400)藉由给电压或是电流使组件发光，接上电源供应器且与计算机联机可以记录通过OLED组件的电流与电压；发光的OLED组件利用分光频谱仪(Minolta CS-1000)量测组件的发光亮度。

<发光频谱的量测方法>

OLED组件接上电源供应器(Keithley 2400)后，藉由给电压使组件发光，再利用分光频谱仪(Minolta CS-1000)量测组件的发光频谱。

<OLED关闭瞬间特性的量测方法>

利用讯号产生器施加一电脉冲给OLED组件，OLED发出的光讯号经由光电倍增管侦测且转为电讯号后显示在示波器上判读。

实验例和比较例的有机发光二极管制备如下：

<实验例1>

首先，对表面形成有100nm ITO的第一玻璃基板进行图案化制程，以定义出电极位置。于本实验例中，ITO电极作为阳极使用。图案化制程可经由多种熟知方法来完成。然后，分别以去离子水、丙酮和异丙醇进行10分钟的清洁。在进行热蒸镀之前，使用氧气电浆处理ITO表面，以降低ITO和下一层之间的能量障壁。之后，在压力＜8×10^-6托(torr)的真空腔体中，将沉积速率控制在进行热蒸镀，进而依序形成有厚度为30nm的施体材料、10nm的TTA材料和20nm的电子传输层。

在本实验例中，发光层中的施体材料是具有以下化学结构的4,4’,4”-三(甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine，m-MTDATA)：

发光层中的TTA材料是具有以下化学结构的9,10－双－(2－萘基)蒽(9,10-bis(2-naphthalenyl)anthracene，ADN)：

电子传输层是具有以下化学结构的4,7-二苯基-1,10-邻菲啰晽(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，Bphen)：

最后，在第一玻璃基板上覆盖一表面形成有0.9nm LiF/100nm Al的第二玻璃基板，并且于充满氮气的手套箱(氧气和水气的浓度＜0.5ppm)中进行封装，从而完成本实验例的有机发光二极管。

<实验例2>

实验例2的有机发光二极管基本上是用与实验例1相同的方法及相同的层结构制造，但是将实验例1中的TTA材料置换为放出黄绿光的TTA材料-红萤烯(5,6,11,12-tetraphenyltetracene)，其化学结构为:

<实验例3>

实验例3的有机发光二极管基本上是用与实验例1相同的方法及相同的层结构制造，但是将实验例1中的TTA材料置换为红萤烯且于发光层中掺杂有作为红荧光掺杂剂的DCJTB(10％(体积百分比))，DCJTB的化学结构为:

<比较例>

比较例的有机发光二极管基本上是用与实验例1相同的方法及相同的层结构制造，但是将实验例1中的m-MTDATA置换为常用的空穴传输材料，例如N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基联苯胺(N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl benzidine，NPB)。

<特性分析>

图2A是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的能带示意图。

首先，请参照图2A。本发明实施例的实验例1的有机发光二极管200中，包括阳极202、阴极204、施体材料206、TTA材料208以及电子传输层210。其中，阳极202为ITO电极、阴极204为LiF/Al电极、施体材料206为m-MTDATA、TTA材料208为ADN、电子传输层210为Bphen。

当电子和空穴分别由阴极204和阳极202注入有机发光二极管200时，电子由电子传输层210进入TTA材料208，作为TTA材料208的ADN具有第一单重态能量与第一三重态能量，当电子到达m-MTDATA和ADN之间的界面，与空穴在界面上复合，形成激态基态复合物。激态基态复合物具有第三单重态能量与第三三重态能量。第三单重态能量放出黄光或黄绿光(峰值～550nm)，第三三重态能量转移给ADN，再经由TTAUC让ADN的第一单重态能量放出蓝光。由于单重态的激子寿命很短，表示激子-极化子消灭非常轻微，因此隐含长寿命的可能性。

图2B是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的各材料的单重态及三重态能级示意图。

请参照图2B。在图2B的能级示意图中，包括有基态能级S₀、单重态能级S₁和三重态能级T₁，且由左至右依序为施体材料206、激态基态复合物212、TTA材料208以及电子传输层210的单重态能级及三重态能级，其数值示于表1。

表1

*：一般而言，激态基态复合物的三重态能级小于2.2eV且大于1.7eV。

图3是依照本发明实施例的实验例1与比较例的有机发光二极管的电压-亮度曲线图。

请参照图3。观察本发明实施例的实验例1与比较例的有机发光二极管在低电压的发光特性可知，实验例1的有机发光二极管在最低2.2V时，可以看到有机发光二极管已经开始发光。反观比较例的有机发光二极管，是将实验例1中的m-MTDATA置换为NPB，其中因为NPB与ADN两者的最高占据分子轨域(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能量差异以及最低未占分子轨域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)差异小，所以NPB不会与ADN产生激态基态复合物，如此一来，驱动电压将大幅上升至2.8V，与ADN材料的单重态能量(2.8eV)相当。

图4是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的发光频谱。详细而言，是依照本发明的实验例1的有机发光二极管，分别于2.1V、2.2V和2.3V的低电压下的蓝光频谱，其中最底下的线是2.1V电压的结果、中间的线是2.2V电压的结果、最上面的线是2.3V电压的结果。

请参照图4。除了激态基态复合物的发光，也看到蓝光的成分，然而，在如此低的电压下，是不可能直接复合发光的，因为主峰在550nm附近的激态基态复合物发光，对应的能量为2.25eV，另一个是450nm附近TTA材料的发光，对应的能量为2.76eV。因此蓝光的来源是由激态基态复合物的三重态能量转移至TTA材料，并经由TTAUC所产生的。

图5是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管的关闭瞬间特性图，其中由左至右的四条线分别对应6V、5V、3V和2.5V。图6是依照本发明实施例的比较例的有机发光二极管的关闭瞬间特性图，详细而言，是蓝光波段部分的关闭瞬间特性图。

请参照图5和图6，观察实验例1和比较例在蓝光波段部分的关闭瞬间特性。如图6所示，可以看到比较例的有机发光二极管关闭时，会有一个快速的光强度下降，这是来自于单重态能量的贡献。接着，后面有一个慢的光强度下降，这是由于三重态激子的激子寿命甚长，所产生的贡献。相较之下，在图5所示的依照本发明的实验例1的有机发光二极管中，只有慢的光强度下降，而没有快的成分，表示发光都是来自三重态的贡献，而非单重态的贡献。

图7是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图。图8是依照本发明实施例的实验例1的有机发光二极管，蓝光对黄光在不同电流密度下的发光比例图。

请参照图7，可以看到频谱随不同电压的变化状况。其中，蓝光的成分随着电流的增加，有大幅度的增长，提供了三重态贡献的辅助证据。并且，在图8中也显示出，随着电流密度增加，蓝光对黄光的发光比例有增加的趋势。

表2列出依照本发明实施例的实验例2与实验例3的有机发光二极管的各材料的单重态及三重态能级数值。

表2

*：一般而言，DCJTB的三重态能级小于2.2eV且大于1.1eV。

图9是依照本发明实施例的实验例2与实验例3的有机发光二极管的电压-亮度曲线图。

请参照图9，本发明实施例的实验例2与实验例3的有机发光二极管分别在约2.0V与约1.8V时，可以看到有机发光二极管已经开始发光。实验例2与实验例3的驱动电压小于比较例的驱动电压。

图10是依照本发明实施例的实验例2的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图。图11是依照本发明实施例的实验例3的有机发光二极管随不同电压变化的频谱图。

请参照图10和图11，可以看到频谱随不同电压的变化状况。其中，图10的黄绿光区域的强度随着电压的增加，有大幅度的增长；而图11的红光区域的强度随着电压的增加，有大幅度的增长，提供了三重态贡献的辅助证据。

综上所述，本发明实施例的有机发光二极管藉由电致发光机制，以低驱动电压即可形成触发一连串反应的触发材料，并且将触发材料的三重态能量转移给TTA材料作为TTAUC使用，充分利用触发材料所具有的能量，故而功率效率大幅提升。并且，本发明实施例的有机发光二极管是以激子寿命甚短(～ns)的单重态发光，所以能够大幅降低激子-极化子消灭行为，提升发光寿命。再者，本发明实施例的有机发光二极管具有都会发光的触发材料和TTA材料，所以藉由混合色光能组成白光，进而可制成高效率及长寿命的白光有机发光二极管。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以权利要求保护范围所界定者为准。