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集成电路半定制后端设计快速通道设计方法

摘要

本发明公开了一种集成电路半定制后端设计快速通道设计方法。步骤S1:后端设计工具获取原始数据和更新数据。步骤S2:通过比对上述原始数据和更新数据形成数据差异信息,并且对于上述数据差异信息进行分析以生成执行命令。步骤S3:执行上述执行命令以合成用于快速通道设计的设计数据。步骤S4:将上述设计数据应用于实际工程设计以记录关键执行信息。步骤S5:分析并且判断上述关键执行信息是否符合预设的设计标准。本发明公开的集成电路半定制后端设计快速通道设计方法,避免后端设计滞后于前端设计,使后端设计可以提前与前端设计同步进行,提高后端设计环节的设计效率,缩短整个芯片设计周期。

著录项

  • 公开/公告号CN108052739A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 嘉兴倚韦电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201711326399.2

  • 发明设计人 徐靖;

    申请日2017-12-13

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构33253 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李伊飏

  • 地址 314000 浙江省嘉兴市平湖市经济开发区新兴二路988号综合楼211-2室

  • 入库时间 2023-06-19 05:22:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20171213

    实质审查的生效

  • 2018-05-18

    公开

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