减少电容变化的MOS电容结构

摘要

本申请涉及减少电容变化的MOS电容结构。一种电容结构，可以形成在先进MOS器件的器件层中，以显着降低电容/电压的可变性。为此，可以在该电容结构的“沟道”中形成一高掺杂半导体区域。例如，对于该高掺杂半导体区域中掺杂剂的指定浓度以及垂直尺寸的指定范围，可以获得电压范围在例如±5V内的大约3％或更小的一减小的可变性。