首页> 中国专利> 一种花状的Cu2SnS3柔性超级电容器电极材料的制备方法

一种花状的Cu2SnS3柔性超级电容器电极材料的制备方法

摘要

该发明公开了一种花状的Cu2SnS3柔性超级电容器电极材料的制备方法,属于超级电容器材料的合成与制备技术领域,具体涉及一种花状的Cu2SnS3的柔性超级电容器的制作方法。本方法反应即制备花状的Cu2SnS3,制备方法简单,结晶性好,同时具有较大的比表面积和较小的介孔,为电化学反应提供更多的反应活性位点同时缩短了离子传输路径,在强碱性的水性溶液中,表现出了超高的比容量及其优异的倍率性能;由于是在碳布上原位生长的,减小了电极材料的接触电阻;且材料本身结晶性高,比容量较高,能量密度优异,是一种潜在的优异的超级电容器电极材料。

著录项

  • 公开/公告号CN108010733A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201711415674.8

  • 申请日2017-12-25

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人陈一鑫

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 05:17:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G11/24 申请公布日:20180508 申请日:20171225

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2018-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/24 申请日:20171225

    实质审查的生效

  • 2018-05-08

    公开

    公开

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