一种快速烧结系统及快速烧结方法

摘要

本发明实施例提供了一种快速烧结系统及快速烧结方法，该快速烧结系统包括：炉体，该炉体包括相互连通的炉膛和炉口；设置在炉口下方的升降装置，包括支座和样品台，样品台设置在支座上；温度获取装置，设置在样品台上；控制装置，设置在炉膛外，与升降装置及温度获取装置电连接，用于根据由温度获取装置获得的温度和预设烧结条件，控制升降装置的升降；隔板件，设置在升降装置的第一端，隔板件与样品台之间有第一间隔，在快速烧结系统处于装料或卸料工况时，隔板件封堵炉口。本发明实施例的快速烧结系统及快速烧结方法能够实现待烧结样品的快速烧结，提高产品的烧结效率。

说明书

技术领域

本发明涉及牙科材料制备技术领域，特别涉及一种快速烧结系统及快速烧结方法。

背景技术

随着人们生活节奏的加快和椅旁CAD/CAM系统的出现，在目前的牙科修复领域，患者不仅要求牙科修复体具有良好的质量，同时也希望能够缩短花费于牙科治疗的时间。

氧化锆等陶瓷材料由于具有良好的机械性能、化学稳定性、生物安全性，以及接近人类自然牙齿的美学特性，而成为了目前临床治疗中广泛使用的齿科修复材料。然而，由陶瓷材料制备的修复体，在经过由电脑辅助设计与电脑辅助制造（CAD/CAM）等切削设备进行的加工后，需要采用烧结炉等热处理设备进行烧结。为了使氧化锆陶瓷修复体在椅旁CAD/CAM系统上得到应用，需要把氧化锆牙冠的烧结时间降低到40分钟以内，而现有烧结炉很难达到。现有技术中，热处理设备根据材料的烧结温曲线设置相应的烧结温度制度。现有的烧结炉的炉膛内大多利用硅钼棒或者硅碳棒发热体来加热，控制装置通过控制电压和电流来改变发热体的温度，从而改变炉膛内的温度，以实现控制待烧结样品（产品）处的烧结温度，因而，以此实现的温度调节需要较长的时间。例如，现有的硅钼棒或者硅碳发热体烧结炉最多可实现约20度（摄氏温度）/分钟的升温，这样从将待烧结样品（此处以氧化锆陶瓷牙床为例）升入炉膛内，到氧化锆陶瓷牙床烧结完成，至少需要80分钟的时间，产品的烧结效率低。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种快速烧结系统及快速烧结方法，以实现待烧结样品的快速烧结，提高产品的烧结效率。具体技术方案如下：

一种快速烧结系统，包括炉体和升降装置，所述炉体包括相互连通的炉膛和炉口，所述升降装置包括支座和样品台，所述样品台设置在所述支座上，所述快速烧结系统还包括：

温度获取装置，设置在所述样品台上；

控制装置，设置在所述炉膛外，与所述升降装置及所述温度获取装置电连接，用于根据由所述温度获取装置获取的温度和预设烧结条件，控制所述升降装置的升降，其中，所述预设烧结条件包括：烧结温度、升温速率及保温时间；

隔板件，设置在所述升降装置的第一端，所述隔板件与所述样品台之间有第一间隔，在所述快速烧结系统处于装料或卸料工况时，所述隔板件封堵所述炉口，其中，所述第一端为所述升降装置中靠近所述样品台的一端。

较佳的，所述隔板件包括：堵头和支撑杆，所述支撑杆的下端部与所述升降装置固定连接，上端部与所述堵头固定连接，所述隔板件通过所述堵头封堵所述炉口。

较佳的，所述隔板件为耐高温材料制作的结构，具体为氧化铝陶瓷纤维制作的结构或多晶莫来石纤维制作的结构。

较佳的，所述温度获取装置具体为：热电偶、半导体温度计或固体温度计。

较佳的，所述控制装置具体为：单板机、单片机或计算机。

一种采用上述快速烧结系统的快速烧结方法，包括：

（a）在所述炉膛内的温度达到所述待烧结样品烧结所需的最高温度时，将所述待烧结样品设置在所述样品台上；

（b）通过所述温度获取装置，实时获取待烧结样品处的温度，作为实时烧结温度，并将所述实时烧结温度反馈给所述控制装置，其中，所述待烧结样品设置在所述样品台上；

（c）根据预先获取的所述预设烧结条件和所述实时烧结温度，由所述控制装置控制所述升降装置的升降，以使所述待烧结样品的实时烧结温度与所述预设烧结条件相符，完成所述待烧结样品的烧结，其中，所述预设烧结条件包括：烧结温度，升温速率及保温时间。

较佳的，所述步骤（a）包括：

在所述炉膛内的温度，达到所述待烧结样品烧结所需的最高温度时，使所述炉膛内的温度保持恒温；

将所述待烧结样品设置在所述样品台上。

较佳的，所述步骤（c），包括：

（c1）根据预先获取的所述预设烧结条件，确定所述待烧结样品烧结所需的温度曲线，作为预设温度曲线；

（c2）根据所述预设温度曲线和所述实时烧结温度，由所述控制装置控制所述升降装置的升降，以使所述实时烧结温度的温度曲线与所述预设温度曲线相符，完成所述待烧结样品的烧结。

较佳的，所述步骤（c2），包括：

通过所述控制装置，确定处理时隙，其中，所述处理时隙为预设的所述升降装置升降的单位时间；

在烧结过程中，通过所述控制装置，将所述实时烧结温度与所述预设温度曲线进行对比，确定所述处理时隙结束时，所述待烧结样品处需要到达的温度，并将所述待烧结样品处需要到达的温度作为目标温度；

通过所述控制装置，控制所述升降装置的升降，使所述待烧结样品处的温度在经过所述处理时隙后，达到所述目标温度，直至烧结完成。

本发明实施例提供的一种快速烧结系统及快速烧结方法，利用炉膛和炉口的温度梯度，通过控制待烧结样品的位置，实现待烧结样品快速升温，可以减少待烧结样品的烧结时间，实现待烧结样品的快速烧结，提高产品的烧结效率。当然，实施本发明的任一产品或方法必不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的快速烧结系统的结构示意图；

图2为本发明实施例的快速烧结系统的升降装置的样品台，升降到炉口处的示意图；

图3为本发明实施例的快速烧结系统的升降装置的样品台，升降到炉膛内的示意图；

图4为本发明实施例的快速烧结方法的流程示意图；

图5为应用本发明实施例的快速烧结系统，烧结氧化锆陶瓷牙冠的预设温度曲线；

图6为应用本发明实施例的快速烧结系统，烧结氧化锆陶瓷三单位牙桥的预设温度曲线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本文中所说的“装料或卸料工况”指的是快速烧结系统的升降装置下降到装料或卸料位置时，快速烧结系统的工作状况；所说的“烧结工况”指的是快速烧结系统的升降装置上升到烧结位置时，快速烧结系统的工作状况，本文中所说的“上端”为快速烧结系统中靠近炉膛的一端，所说的“下端”为快速烧结系统中靠近支座的一端。

参见图1，本发明实施例提供了一种快速烧结系统，其结构具体包括：

炉体110，该炉体110包括相互连通的炉膛111和炉口112。

当然，该快速烧结系统的炉体110还包括发热体、隔热层和保护外壳，其中，发热体设置在炉膛111上，隔热层设置在发热体和炉膛外，保护外壳设置在隔热层外，隔热层可以减少在烧结待烧结样品时炉膛111与外界的热交换，保证炉膛111内的温度。本发明实施例的发热体为硅钼棒发热体、硅碳发热体或任何符合本发明实施例的发热体。具体的，可以采用由耐高温的轻质耐火材料制成保护外壳和隔热层，例如，护外壳和可以采用氧化铝陶瓷纤维耐火材料制成，隔热层可以采用多晶莫来石纤维耐火材料制成，在此不做具体限定。

升降装置120，设置在炉体110靠近炉口112的一端，该升降装置120包括支座122和样品台121，样品台121设置在支座122上。

该升降装置120还包括升降电机，该升降电机设置在炉体110上或支座122上，具体的该升降电机包括：电动机或液压机。

温度获取装置130，设置在样品台121上。

将温度获取装置130设置在，样品台121上靠近待烧结样品的位置处，同时温度获取装置130与待烧结样品之间存在第二间隔，该第二间隔可以保证待烧结样品的正常烧结过程，不受温度获取装置130的影响，且温度获取装置130获取的温度最大限度的接近待烧结样品处的真实烧结温度。

控制装置140，设置在炉膛111外，与升降装置120及温度获取装置130电连接，用于确定由温度获取装置130获取的温度，并根据该温度和预设烧结条件，控制升降装置120的升降。

其中，预设烧结条件包括：烧结温度，升温速率及保温时间。

控制装置140设置在炉体110外、保护外壳上或任意一个符合本发明实施例的位置，与升降装置120及温度获取装置130电连接，当然也可以通过电场耦合连接或任意一个符合本发明实施例的连接方式。控制装置140确定由温度获取装置130发送的实时烧结温度（该实时烧结温度由温度获取装置130实时获取），根据实时烧结温度和预设烧结条件，控制升降装置120的升降，使样品台121升降到炉口112处（参见图2）或升降到炉膛111内（参见图3）。控制装置140还可以与炉体110电连接，具体的为与炉体110的发热体电连接，用于控制发热体的温度。

隔板件150，设置在升降装置120的第一端，隔板件150与样品台121之间有第一间隔，在快速烧结系统处于装料或卸料工况时，隔板件150封堵炉口112，其中，第一端为升降装置120中靠近样品台121的一端。

在本发明实施例的快速烧结系统中，还包括隔板件150，隔板件150与样品台121之间有第一间隔，该第一间隔保证隔板件150不影响，待烧结样品在样品台121上的安装，且尽量减少待烧结样品处的实时烧结温度，所受到的其他温度梯度处温度的影响。隔板件150与炉口112之间的接触应当紧密，这样隔板件150封堵炉口112时可以保持炉膛111内的温度，并且可以保护炉口112处温度不会下降过快，在提高快速烧结系统的使用寿命的同时，还可以隔离炉膛111内的高温直接热辐射到未烧结的待烧结样品。

通过本发明实施例的快速烧结系统，利用炉膛和炉口的温度梯度，通过控制待烧结样品的位置，实现待烧结样品快速升温，可以减少待烧结样品的烧结时间，实现待烧结样品的快速烧结，提高产品的烧结效率。

优选的，在本发明实施例的快速烧结系统中，隔板件150包括：堵头151和支撑杆152，支撑杆152的下端部与升降装置120固定连接，上端部与堵头151固定连接，隔板件150通过堵头151封堵炉口。

隔板件150，包括堵头151和支撑杆152，支撑杆152的一端设置在堵头151上，支撑杆152的另一端设置在升降装置120上，其中，支撑杆152的数量为一个、两个或任意符合本发明实施例的个数。当然，支撑杆152还可以替换为支撑面，在隔板件150中，支撑面的下表面与升降装置120固定连接，支撑面的上表面与堵头151固定连接，支撑面的数量为一个或多个，当支撑面的数量为多个时，各支撑面之间应当具有间隔，以保证待烧烧结样品处与炉膛或炉口处的热交换。

通过本发明实施例，给出了隔板件150的具体设置方法，保证了隔板件150与样品台121之间的第一间隔。

优选的，在本发明实施例的快速烧结系统中，隔板件150为耐高温材料制作的结构，具体为氧化铝陶瓷纤维制作的结构或多晶莫来石纤维制作的结构。

由于在本发明实施例中，隔板件150会进入炉膛111，届时隔板件150处的温度将会达到1600℃或更高。因此隔板件150为耐高温材料制作的结构，具体的，可以为氧化铝陶瓷纤维制作的结构或多晶莫来石纤维制作的结构。当然，因为隔板件150还有防止炉口112处温度骤降的作用，还可以考虑隔板件150的保温隔热性能。

通过本发明实施例，隔板件150为耐高温材料制作的结构，提高了隔板件150的使用寿命。

优选的，在本发明实施例的快速烧结系统中，温度获取装置130具体为：热电偶、半导体温度计或固体温度计。

温度获取装置130用于获取待烧结样品处的实时烧结温度，由于待烧结样品的烧结温度很高（以氧化锆陶瓷为例，最高烧结温度为1600℃左右），所以温度获取装置130必须能够在高温的环境下正常工作。温度获取装置130为符合本发明实施例的任意温度获取装置，具体的可以为：热电偶、半导体温度计或固体温度计。

在本发明实施例中，温度获取装置130在高温下也可以正常工作，保证了实时烧结温度的正常获取，提高了温度获取装置130的使用寿命。

优选的，在本发明实施例的快速烧结系统中，控制装置140具体为：单板机、单片机或计算机。

控制装置140用于获取实时烧结温度，根据实时烧结温度和预设温度曲线控制升降装置120的升降。需要具备信息处理的能力，控制装置140为符合本发明实施例的任意具备信息处理能力的装置，具体可以为：单板机、单片机或计算机。

在本发明实施例中，控制装置140为单板机、单片机或计算机中的一种，实现了控制装置140对烧结过程中各种信息的处理。

参见图4，图4为一种快速烧结方法的流程示意图，其步骤包括：

步骤401，在炉膛内的温度达到待烧结样品烧结所需的最高温度时，将待烧结样品设置在样品台上。

在设置待烧结样品前，预先根据预设烧结条件，将炉膛内的温度加热到待烧结样品烧结所需的最高温度。

步骤402，通过温度获取装置，实时获取待烧结样品处的温度，作为实时烧结温度，并将实时烧结温度反馈给控制装置。

其中，待烧结样品设置在样品台上。

将待烧结样品设置在样品台上之后，开始控制升降装置上升，由设置在样品台上的温度获取装置，实时获取待烧结样品处的温度，作为实时烧结温度。将该实时烧结温度反馈给控制装置。

步骤403，根据预先获取的预设烧结条件和实时烧结温度，由控制装置控制升降装置的升降，以使待烧结样品的实时烧结温度与预设烧结条件相符，完成待烧结样品的烧结。

其中，预设烧结条件包括：烧结温度，升温速率及保温时间。

待烧结样品的烧结有特殊的温度要求，具体表现为烧结时间与烧结温度的关系，在烧结待烧结样品前，需要预先获取待烧结样品烧结所需的温度、待烧结样品的升温速率及待烧结样品烧结所需的温度各自对应的烧结时间，作为预设烧结条件，根据预先获取的预设烧结条件和实时烧结温度，由控制装置控制升降装置的升降，以使实时烧结温度与预设烧结条件相符。

当无法一次完成所有待烧结样品的烧结时，在一批待烧结样品烧结完成后，将该批次待烧结样品取下进行下一步操作，同时可将另一批待烧结样品设置在样品台上，并开始进行烧结。在目前的牙科修复领域，氧化锆陶瓷材料烧结的牙具其最高烧结温度均为1600℃左右，因此在一批产品烧结完成后，可以直接进行下一批次产品的烧结。例如在氧化锆陶瓷牙冠烧结完成后，保持快速烧结系统炉膛内的温度恒定，将氧化锆陶瓷三单位牙桥设置在样品台上开始烧结。

通过本发明实施例，利用炉膛和炉口的温度梯度，通过控制待烧结样品的位置，实现待烧结样品快速升温，可以减少待烧结样品的烧结时间，实现待烧结样品的快速烧结，提高产品的烧结效率。

优选的，在本发明实施例的快速烧结方法中，步骤401包括：

在炉膛内的温度，达到待烧结样品烧结所需的最高温度时，使炉膛内的温度保持恒温。

将所述待烧结样品设置在所述样品台上。

在利用本发明实施例的快速烧结系统烧结待烧结样品前，需要预先将快速烧结系统的炉膛内的温度上升到待烧结样品烧结所需的最高温度（该最高温度可以根据预设烧结条件确定）。在炉膛内的温度，达到待烧结样品烧结所需的最高温度时，使炉膛内的温度保持恒温。

通过本发明实施例，在炉膛内的温度，达到待烧结样品烧结所需的最高温度时，使炉膛内的温度保持恒温。可以防止炉膛内的温度过高，以免对待烧结样品的正常烧结产生影响。同时炉膛的保温过程所产生的能耗要低于升温过程所产生的能耗，减少了快速烧结系统的能耗。防止因温度过高对发热体造成的消耗，增加了快速烧结系统的使用寿命。

优选的，在本发明实施例的快速烧结方法中，步骤403包括：

第一步，根据预先获取的预设烧结条件，确定待烧结样品烧结所需的温度曲线，作为预设温度曲线。

第二步，根据预设温度曲线和实时烧结温度，由控制装置控制升降装置的升降，以使实时烧结温度的温度曲线与预设温度曲线相符，完成待烧结样品的烧结。

在本发明实施例中，为了更加具体的说明如何实现对待烧结样品处温度的控制，将预设烧结条件转换为预设温度曲线。根据该预设温度曲线，控制升降装置的升降，使实时烧结温度所形成的温度曲线与预设温度曲线相符。

通过本发明实施例，给出了对待烧结样品处温度的控制的具体方法，实现了到烧结样品的快速烧结。

优选的，在本发明实施例的快速烧结方法中，根据预设温度曲线和实时烧结温度，由控制装置控制升降装置的升降，以使实时烧结温度的温度曲线与预设温度曲线相符，完成待烧结样品的烧结，其步骤包括：

第一步，通过控制装置，确定处理时隙，其中，处理时隙为预设的升降装置升降的单位时间。

第二步，在烧结过程中，通过控制装置，将实时烧结温度与预设温度曲线进行对比，确定处理时隙结束时，待烧结样品处需要到达的温度，并将待烧结样品处需要到达的温度作为目标温度。

第三步，通过控制装置，控制升降装置的升降，使待烧结样品处的温度在经过处理时隙后，达到目标温度，直至烧结完成。

处理时隙可以为，根据烧结需求与系统的时延提前设定的，也可以为系统根据由用户输入的指令确定的。处理时隙为控制升降装置升降的单位时间，可在整个烧结过程中，把整体的烧结时间划分为多个处理时隙，由控制装置根据实时烧结温度与预设温度曲线，确定每个处理时隙的目标温度。

在升温过程中，当一个处理时隙开始时，由控制装置根据实时烧结温度与预设温度曲线，确定当前处理时隙待烧结样品烧结所需的最高温度（最高温度也可以为提前确定的），作为最高目标温度，由控制装置控制升降装置的升降，使待烧结样品处的温度（实时烧结温度）在经过该处理时隙后，达到最高目标温度，直至升温过程完成。

在降温过程中，当一个处理时隙开始时，由控制装置根据实时烧结温度与预设温度曲线，确定当前处理时隙待烧结样品烧结所需的最低温度（最低温度也可以为提前确定的），作为最低目标温度，由控制装置控制升降装置的升降，使待烧结样品处的温度在经过该处理时隙后，达到最低目标温度，直至降温过程完成。

因为系统误差等原因，在第一处理时隙中，若第一处理时隙尚未结束，待烧结样品处的温度已经达到了第一目标温度，则由控制装置控制升降装置停止升降直至下一处理时隙开始。若第一处理时隙已经结束，待烧结样品处的温度尚未达到了第一目标温度，则在第二处理时隙中，由控制装置控制升降装置升降（可以根据第一处理时隙结束时待烧结样品处的温度，与第一目标温度的差值，增加升降速度），使待烧结样品处的温度达到第二目标温度。其中，第一处理时隙为任意一个处理时隙，第一目标温度为第一处理时隙对应的目标温度，第二处理时隙为第一处理时隙的下一处理时隙，第二目标温度为第二处理时隙对应的目标温度。

可见在本发明实施例中，处理时隙越小，实时烧结温度所形成的温度曲线将越圆滑，也越接近预设温度曲线。通过处理时隙的设定，可以更加准确的控制待烧结样品处的温度，提高了待烧结样品烧结的品质。

参见图5，图5为应用本发明实施例的快速烧结系统，烧结氧化锆陶瓷牙冠的预设温度曲线。

获取并根据预设烧结条件，确定氧化锆陶瓷牙冠烧结所需的最高温度。根据该最高温度，提前将快速烧结系统的炉膛内的温度加热到1600℃。在炉膛内的温度达到1600℃时，保持炉膛内的温度不再变化。将待烧结的氧化锆陶瓷牙冠设置在样品台上，通过温度获取装置（此处设置为热电偶），获取此时的实时烧结温度为150℃。根据预设烧结条件，控制装置控制升降装置的升降，开始烧结。

首先，控制装置控制升降装置开始上升，使氧化锆陶瓷牙冠处的温度以500℃/分钟的速度升温，将氧化锆陶瓷牙冠处的温度提升到1250℃。在氧化锆陶瓷牙冠处的温度达到1250℃时，控制装置获取由热电偶反馈的实时烧结温度为1250℃，控制装置控制升降装置停止上升，使氧化锆陶瓷牙冠在1250℃的环境中烧结5分钟。然后，控制装置控制升降装置继续上升，使氧化锆陶瓷牙冠处的温度以150℃/分钟的速度升温，将氧化锆陶瓷牙冠处的温度提升到1580℃。控制装置获取由热电偶反馈的实时烧结温度为1580℃，控制升降装置停止上升，使氧化锆陶瓷牙冠在1580℃的环境中烧结5分钟。最后，控制装置控制升降装置开始下降，使氧化锆陶瓷牙冠处的温度以200℃/分钟的速度降温，5分钟后，样品台下降到最底部，控制装置获取由热电偶测反馈的温度为600℃。在样品台周围的风扇辅助下，冷却3分钟以后，控制装置获取由热电偶测反馈的氧化锆陶瓷牙冠周围的温度为120℃，将烧结完成的氧化锆陶瓷牙冠取下，进行下一步的操作。

在本发明实施例中，从氧化锆陶瓷牙冠设置到样品台，到烧结结束耗时约20分钟，从将氧化锆陶瓷牙冠设置到样品台，到可进行下一步的操作耗时23分钟。减少了氧化锆陶瓷牙冠的烧结时间，提高了氧化锆陶瓷牙冠的烧结效率。

参见图6，图6为应用本发明实施例的快速烧结系统，烧结氧化锆陶瓷三单位牙桥的预设温度曲线。

获取并根据预设烧结条件，确定氧化锆陶瓷三单位牙桥烧结所需的最高温度。根据该最高温度，提前将快速烧结系统的炉膛内的温度加热到1600℃。在炉膛内的温度达到1600℃时，保持炉膛内的温度不再变化。将待烧结的氧化锆陶瓷三单位牙桥设置在样品台上，此时热电偶反馈的实时烧结温度为150℃。根据预设烧结条件，由控制装置控制升降装置的升降，开始烧结。

首先，控制装置控制升降装置开始上升，使氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度以500℃/分钟的速度升温，将氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度提升到1250℃。在氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度达到1250℃时，控制装置获取由热电偶反馈的实时烧结温度为1250℃，控制装置控制升降装置停止上升，使氧化锆陶瓷三单位牙桥在1250℃的环境中烧结10分钟。然后，控制装置控制升降装置继续上升，使氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度以100℃/分钟的速度升温，将氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度提升到1580℃。在氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度达到1580℃时，控制装置获取由热电偶反馈的实时烧结温度为1580℃，控制装置控制升降装置停止上升，使氧化锆陶瓷三单位牙桥在1580℃的环境中烧结10分钟。最后，控制装置控制升降装置开始下降，使氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度以150℃/分钟的速度降温，8分钟后，样品台下降到最底部，控制装置获取由热电偶反馈的氧化锆陶瓷三单位牙桥处的温度为600℃（氧化锆陶瓷三单位牙桥在炉膛和炉口内时，降温速度受到限制，造成误差）。在样品台周围的风扇辅助冷却5分钟以后，控制装置获取由热电偶反馈的氧化锆陶瓷三单位牙桥周围的温度为120℃，将烧结完成的氧化锆陶瓷三单位牙桥取下，进行下一步的操作。

在本发明实施例中，从将氧化锆陶瓷三单位牙桥设置到样品台，到烧结结束耗时约33分钟，从将氧化锆陶瓷三单位牙桥设置到样品台，到可进行下一步操作耗时约38分钟。减少了氧化锆陶瓷三单位牙桥的烧结时间，提高了氧化锆陶瓷三单位牙桥的烧结效率。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。