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公开/公告号CN107910744A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十九研究所;
申请/专利号CN201711276489.5
发明设计人 桂永雷;张精华;赵振起;孙权;邵志强;
申请日2017-12-06
分类号
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人贾泽纯
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
入库时间 2023-06-19 05:02:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-13
公开
机译: 带有电子可调外腔的稳频激光器
机译: 半导体激光器的稳频方法,稳频光源和激光器模块
机译:双波长垂直外腔面发射激光器中的脉冲差频产生方式
机译:利用Rb-D_2吸收线的法拉第效应的半导体激光器稳频新方法
机译:稳频外腔半导体激光器
机译:利用Rb吸收线的法拉第效应的半导体激光器新型稳频方法
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:具有饱和吸收器和时滞反馈的垂直腔面发射激光器中腔孤子动力学的分叉结构
机译:垂直外腔面发射激光器(pOsTpRINT)小信号调制的分析与表征