一种g‑C3N4/ZnGa2O4异质结可见光催化剂的原位合成方法

摘要

本发明公开一种g‑C3N4/ZnGa2O4异质结可见光催化剂的原位合成方法，及对其光催化性能的优化。将具有介孔结构的ZnGa2O4浸入双氰胺溶液中，干燥后，高温煅烧可得到目标产物g‑C3N4/ZnGa2O4异质结。通过调节双氰胺溶液的浓度，可实现对g‑C3N4/ZnGa2O4异质结配比的调控，从而优化该异质结的可见光催化活性。本发明采用的方法使g‑C3N4原位生长在ZnGa2O4介孔结构上，制得的异质结材料界面结合紧密，光生电子‑空穴对可通过该界面顺利实现空间上的分离，从而提高该光催化材料的可见光催化活性。当双氰胺溶液的浓度为6g/L时，制得的g‑C3N4/ZnGa2O4异质结可见光催化活性最高。