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基于寿命模型参数波动的精确评估IGBT可靠性的方法

摘要

本发明提出一种基于寿命模型参数波动的精确评估IGBT可靠性的方法,该方法包括以下步骤:S1、根据IGBT的型号和使用环境,确定IGBT所在电路的电气参数;S2、确定IGBT的热应力:根据IGBT所在电路的电气参数,在仿真软件中搭建电路图,根据IGBT的Datasheet中的损耗参数和热模型,仿真得到IGBT的结温随时间变化的波形;S3、结合Bayerer模型参数和IGBT的结温,进行的IGBT寿命评估。本发明可有效评估IGBT的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN107818207A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201711007745.0

  • 申请日2017-10-25

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人许美红

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-06-19 04:49:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20171025

    实质审查的生效

  • 2018-03-20

    公开

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