有机分子，特别是用于有机光电器件的有机分子

摘要

本发明涉及有机分子，特别是用于光电器件中的有机分子。根据本发明，所述有机分子包含：‑具有式I的结构的第一化学单元

说明书

本发明涉及纯的有机分子，并且涉及其在有机发光二极管(OLED)中和在其它有机光电器件中的用途。

发明内容

本发明要解决的问题是提供适用于光电器件中的分子。

该问题通过本发明来解决，本发明提供了新一类的有机分子。

根据本发明的有机分子是纯的有机分子，即不具有任何金属离子，由此区别于已知用于有机光电器件中的金属配合物。

根据本发明的有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱区中的发光是显著的。根据本发明的有机分子的光致发光量子产率特别地为20％以上。根据本发明的分子特别地展现热活性化延迟荧光(TADF)。根据本发明的分子在光电器件，例如有机发光二极管(OLED)中的使用导致较高的器件效率。对应的OLED具有与使用已知的发射体材料的OLED相比更高的稳定性和相当的颜色。

这里理解蓝色光谱区是指从420nm至470nm的可见范围。这里理解天蓝色光谱区是指从470nm至499nm的范围。这里理解绿色光谱区是指从500nm至599nm的范围。这里的发射最大值在各个范围内。

所述有机分子包括：包括式I的结构或由式I的结构组成的第一化学单元：

和

-在每次出现时相同或不同的、各自包括式II的结构或由式II的结构组成的两个第二化学单元D，

在这些分子中，第一化学单元经由单键结合至两个第二化学单元的各个上。

T为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置、或为H。

V为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置、或为H。

W为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置、或选自由H、CN和CF₃组成的组。

X为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置、或选自由H、CN和CF₃组成的组。

Y为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置、或选自由H、CN和CF₃组成的组。

#为各个化学单元D与式I的化学单元之间的单键的连接位置。

Z在每次出现时相同或不同，并且为直接键或选自由CR³R⁴、C＝CR³R⁴、C＝O、C＝NR³、NR³、O、SiR³R⁴、S、S(O)和S(O)₂组成的组。

R¹在每次出现时相同或不同，并且为H；氘；具有1至5个碳原子的直链烷基，具有2至8个碳原子的直链烯基或炔基，具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基、烯基或炔基，其中一个或多个氢原子可以由氘替代；或具有5至15个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁶基团取代的芳香族环体系或杂芳族环体系。

R^a、R³和R⁴在每次出现时相同或不同，并且为H；氘；N(R⁵)₂；OH；Si(R⁵)₃；B(OR⁵)₂；OSO₂R⁵；CF₃；CN；F；Br；I；具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40个碳原子的直链烯基或炔基，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它们各自可以由一个或多个R⁵基团取代，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可以由R⁵C＝CR⁵、C≡C、Si(R⁵)₂、Ge(R⁵)₂、Sn(R⁵)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR⁵、P(＝O)(R⁵)、SO、SO₂、NR⁵、O、S或CONR⁵来替代，并且其中一个或多个氢原子可以由氘、CN、CF₃或NO₂来替代；或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的芳香族环体系或杂芳族环体系，或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的芳氧基或杂芳氧基；或具有10至40个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基。

R⁵在每次出现时相同或不同，并且为H；氘；N(R⁶)₂；OH；Si(R⁶)₃；B(OR⁶)₂；OSO₂R⁶；CF₃；CN；F；Br；I；具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40个碳原子的直链烯基或炔基，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它们各自可以由一个或多个R⁶基团取代，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可以由R⁶C＝CR⁶、C≡C、Si(R⁶)₂、Ge(R⁶)₂、Sn(R⁶)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR⁶、P(＝O)(R⁶)、SO、SO₂、NR⁶、O、S或CONR⁶来替代，并且其中一个或多个氢原子可以由氘、CN、CF₃或NO₂替代；或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁶基团取代的芳香族环体系或杂芳族环体系；或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁶基团取代的芳氧基或杂芳氧基；或具有10至40个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁶基团取代的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基。

R⁶在每次出现时相同或不同，并且为H；氘；OH；CF₃；CN；F；具有1至5个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至5个碳原子的直链烯基或炔基，或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一个或多个氢原子可以由氘、CN、CF₃或NO₂来替代；或具有5至60个芳香族环原子的芳香族环体系或杂芳族环体系；或具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基；或具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基。

根据本发明，R^a、R³、R⁴或R⁵基团各自与一个或多个另外的R^a、R³、R⁴或R⁵基团可以形成单环或多环的、脂肪族、芳香族和/或苯并稠合的环体系。

根据本发明，恰好一个选自由W、X和Y的基团为CN或CF₃并且恰好两个选自由T、V、W、X和Y组成的组的基团为式I的化学单元与化学单元D之间的单键的连接位置。

在一个实施方案中，R¹在每次出现时相同或不同，并且为H、甲基或苯基。

在一个实施方案中，W为CN。

在所述有机分子的进一步实施方案中，化学基团D在每次出现时相同或不同，并且包括式IIa的结构或由式IIa的结构组成：

其中式I和II的定义适用于#和R^a。

在根据本发明的有机分子的进一步实施方案中，化学单元D在每次出现时相同或不同，并且包括式IIb的结构、式IIb-2的结构、式IIb-3的结构或式IIb-4的结构、或由式IIb的结构、式IIb-2的结构、式IIb-3的结构或式IIb-4组成：

其中

R⁵在每次出现时相同或不同，并且为N(R⁵)₂；OH；Si(R⁵)₃；B(OR⁵)₂；OSO₂R⁵；CF₃；CN；F；Br；I；具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40个碳原子的直链烯基或炔基，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它们各自可以由一个或多个R⁵基团取代，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可以由R⁵C＝CR⁵、C≡C、Si(R⁵)₂、Ge(R⁵)₂、Sn(R⁵)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR⁵、P(＝O)(R⁵)、SO、SO₂、NR⁵、O、S或CONR⁵来替代，并且其中一个或多个氢原子可以由氘、CN、CF₃或NO₂替代；或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的芳香族环体系或杂芳族环体系；或具有5至60个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的芳氧基或杂芳氧基；或具有10至40个芳香族环原子且可以分别被一个或多个R⁵基团取代的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基。对于其余的，以上给出的定义是适用的。

在根据本发明的有机分子的进一步实施方案中，化学单元D在每次出现时相同或不同，并且包括式IIc的结构、式IIc-2的结构、式IIc-3的结构或式IIc-4的结构、或由式IIc的结构、式IIc-2的结构、式IIc-3的结构或式IIc-4的结构组成：

其中以上给出的定义是适用的。

在根据本发明的有机分子的进一步实施方案中，R^b在每次出现时独立地选自由以下组成的组：Me；ⁱPr；^tBu；CN；CF₃；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的Ph；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的吡啶基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的嘧啶基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的咔唑基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的三嗪基；和N(Ph)₂。

以下为化学基团D的示例性实施方案：

其中以上给出的定义适用于#、Z、R^a、R³、R⁴和R⁵。在一个实施方案中，R⁵基团在每次出现时相同或不同，并且选自由H、甲基、乙基、苯基和2,4,6-三甲苯基组成的组。在一个实施方案中，R^a在每次出现时相同或不同，并且选自由H、甲基(Me)、异丙基(CH(CH₃)₂)(ⁱPr)、叔丁基(^tBu)、苯基(Ph)、CN、CF₃和二苯胺(NPh₂)组成的组。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子具有式III的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIa的结构：

其中

R^c在每次出现时独立地选自由以下组成的组：Me；ⁱPr；^tBu；CN；CF₃；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的Ph；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的吡啶基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的嘧啶基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的咔唑基；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的三嗪基；和N(Ph)₂。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIb的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIc的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIId的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIe的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIf的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIg的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IIIh的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IV的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVa的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVb的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVc的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVd的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVe的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVf的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVg的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式IVh的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子包括式V的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Va的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vb的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vc的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vd的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Ve的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vf的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vg的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式Vh的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VI的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIa的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIb的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIc的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VId的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIe的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIf的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIg的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIh的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VII的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIa的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIb的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIc的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIId的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIe的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIf的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIg的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在进一步实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIIh的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，根据本发明的有机分子包括式VIII的结构：

其中以上给出的定义是适用的。

在一个实施方案中，R^c在每次出现时独立地选自由以下组成的组：Me；ⁱPr；^tBu；可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu、CN、CF₃和Ph的一种以上的基团取代的Ph；和可以分别被选自Me、ⁱPr、^tBu和Ph的一种以上的基团取代的咔唑基。

在本发明的上下文中，芳基包括6至60个芳香族环原子；杂芳基包括5至60个芳香族环原子，它们的至少之一是杂原子。该杂原子特别地为N、O和/或S。在本发明的特定实施方案的说明中，如果给出偏离提及的定义的其它定义，例如对于存在的芳香族环原子的数目或杂原子的数目，则这些是适用的。

理解芳基或杂芳基是指单一的芳香族环，即，苯；或单一的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩；或杂芳族多环，例如菲、喹啉、或咔唑。本发明的上下文中的稠合(增环(annelated))的芳香族多环或杂芳族多环由两个以上的相互缩合的单一的芳香族环或杂芳族环组成。

特别地理解可以分别被上述基团取代且可以经由任意期望的位置结合至芳香族体系或杂芳族体系的烷基或杂芳基是指来源自以下的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩；吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩恶嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡嗪并咪唑(pyrazinimidazole)、喹啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、恶唑、苯并恶唑、萘并恶唑(naphthoxazole)、蒽并恶唑(anthroxazole)、菲并恶唑(phenanthroxazole)、异恶唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-恶二唑、1,2,4-恶二唑、1,2,5-恶二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯并噻二唑，或提及的基团的组合。

这里理解环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基是指单环状、二环状或多环状的基团。

在本发明的上下文中，理解其中各个氢原子或CH₂基团也可以由上述基团取代的C₁-至C₄₀-烷基是指例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-二环[2.2.2]辛基、2-二环[2.2.2]-辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。理解烯基是指例如，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、或环辛二烯基。理解炔基是指例如，乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。理解C₁-至C₄₀-烷氧基是指例如，甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。

本发明的一个实施方案涉及有机分子，其最低的激发单线态(S₁)与在它下面的三线态(T₁)之间的ΔE(S₁-T₁)值不大于5000cm^-1，特别是不大于3000cm^-1，或不大于1500cm^-1，或1000cm^-1，和/或其发射寿命不大于150μs，特别是不大于100μs，不大于50μs，或不大于10μs，和/或其具有半高宽的主发射带小于0.55eV，特别是小于0.50eV，小于0.48eV，或小于0.45eV。

有机分子特别地展现在420nm与500nm之间，在430nm与480nm之间，特别是在450nm与470nm之间的发射最大值。

所述分子特别地具有蓝色材料指数(BMI)、PLQY的系数(以％计)、和大于150，特别是大于200，大于250或大于300的由根据本发明的分子发射的光的CIE_y色坐标。

在进一步方面中，本发明涉及这里描述的种类的根据本发明的有机分子(具有可能的进一步转换)的制备方法，其中将2,4,6-R¹-取代的3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸或对应的2,4,6-R¹-取代的3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸酯用作反应物。

在以上方案中，在一个实施方案中，化学CN基团由CF₃来替代。

在一个实施方案中，作为反应物的2,4,6-R¹-取代的3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸或对应的2,4,6-R¹-取代的3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸酯在钯催化的交叉偶联反应与溴二氟苄腈反应。依照本发明，通过实例的方式，这里可以使用：4-溴-2,6-二氟苄腈、4-溴-2,5-二氟苄腈、4-溴-3,5-二氟苄腈、3-溴-2,6-二氟苄腈、3-溴-5,6-二氟苄腈和2-溴-4,5-二氟苄腈。产物通过对应的胺的去质子化，接着的两个氟基团的亲核取代来获得。在此情况下，氮杂环以亲核芳香族取代的方式与反应物E1反应。典型的条件包括在质子惰性的极性溶剂，例如二甲亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中使用碱，例如磷酸三钾或氢化钠。

在进一步方面中，本发明涉及有机分子的用途，所述有机分子在有机光电器件中作为发光性发射体或作为主体材料，特别是其中所述有机光电器件选自由以下组成的组：

·有机发光二极管(OLED)，

·发光性电化学电池，

·OLED传感器，特别是与外部不是气密密封的气体传感器和蒸汽传感器，

·有机二极管，

·有机太阳能电池，

·有机晶体管，

·有机场效应晶体管，

·有机激光器，和

·降频转换元件。

在进一步方面中，本发明涉及组合物，其包括以下或由以下组成：

(a)至少一种根据本发明的有机分子，尤其作为发射体和/或主体的所述有机分子，和

(b)至少一种、即一种或多种的除了根据本发明的有机分子以外的发射体和/或主体材料，和

(c)任选的一种以上的染料和/或一种以上的有机溶剂。

在一个实施方案中，根据本发明的组合物由根据本发明的有机分子和一种以上的主体材料组成。主体材料特别地具有在能量上与根据本发明的有机分子的三线态(T₁)和单线态(S₁)能量水平相比更高的三线态(T₁)和单线态(S₁)能量水平。在一个实施方案中，根据本发明的组合物以及有机分子包括电子主导和空穴主导的主体材料。空穴主导的主体材料的最高占有轨道(HOMO)和最低未占轨道(LUMO)特别地在能量上与电子主导的主体材料相比更高。空穴主导的主体材料的HOMO在能量上与根据本发明的有机分子的HOMO相比更低，而电子主导的主体材料的LUMO在能量上与根据本发明的有机分子的LUMO相比更高。为了避免发射体与主体材料之间的激基复合物(Exciplex)的形成，应该以各轨道间的能隙小的方式选择材料。电子主导的主体材料的LUMO与根据本发明的有机分子的LUMO之间的差特别地小于0.5eV，优选地小于0.3eV，甚至更优选地小于0.2eV。空穴主导的主体材料的HOMO与根据本发明的有机分子的HOMO之间的差特别地小于0.5eV，优选地小于0.3eV，甚至更优选地小于0.2eV。

在进一步方面中，本发明涉及包括根据本发明的有机分子或根据本发明的组合物的有机光电器件。有机光电器件特别是采用选自由以下组成的组的器件的形式：有机发光二极管(OLED)；发光性电化学电池；OLED传感器,特别是与外部不是气密密封的气体传感器和蒸汽传感器；有机二极管；有机太阳能电池；有机晶体管；有机场效应晶体管；有机激光器和降频转换元件。

本发明的进一步实施方案是有机光电器件，其包括：

-衬底，

-阳极，和

-阴极，其中阳极或阴极被施加在衬底上，和

-至少一发光层，其施加在阳极和阴极之间，而且包含根据本发明的有机分子。

在一个实施方案中，光电器件为OLED。典型的OLED包括例如，以下层结构：

1.衬底(载体材料)

2.阳极

3.空穴注入层(HIL)

4.空穴传输层(HTL)

5.电子阻挡层(EBL)

6.发射层(EML)

7.空穴阻挡层(HBL)

8.电子传输层(ETL)

9.电子注入层(EIL)

10.阴极。

这里的各层仅以任选方式存在。另外，这些层的两种以上可以组合。并且对于各层来说，可以在器件中存在大于一次。

在一个实施方案中，有机器件的至少一个电极是半透明(translucent)的。"半透明"这里是指对可见光透明的层。这里的半透明层可以是清晰(clear)和透明(see-through)的，即，透明的(transparent)，或至少部分光吸收和/或部分的光散射，以致例如，半透明层也可以具有漫反射(diffuse)或乳白色的外观。更特别地，这里称为半透明的层是实质上非常透明的，以致特别地，光的吸收尽量低。

在进一步实施方案中，有机器件，特别是OLED包括反转结构。反转结构的特征在于：阴极在衬底上，并且其它层以相应地反转的方式施加。

1.衬底(载体材料)

2.阴极

3.电子注入层(EIL)

4.电子传输层(ETL)

5.空穴阻挡层(HBL)

6.发光层/发射层(EML)

7.电子阻挡层(EBL)

8.空穴传输层(HTL)

9.空穴注入层(HIL)

10.阳极。

这里的各层仅以任选方式存在。另外，这些层的两种以上可以组合。并且对于各层来说，可以在器件中存在大于一次。

在一个实施方案中，在反转的OLED中，典型的结构的阳极层，例如ITO(氧化铟锡)层连接为阴极。

在进一步实施方案中，有机器件，特别是OLED具有层叠结构(stackedstructure)。这里的各个OLED通常配置为一个在另一个的顶部上，并且不是一个在另一个旁边。层叠结构可以确保混合光的产生。例如，该结构可以用于产生白光，所述白光通过形成整个可见光谱，典型地通过从蓝色、绿色和红色发射体发出的光的组合来生产。另外，在实际上相同的效率和等同的亮度(luminance)的情况下，可以实现与标准OLED相比明显更长的寿命。对于层叠结构，任选地可以使用所谓的两个OLED之间的电荷产生层(CGL)。这由n-掺杂层和p-掺杂层组成，n-掺杂层典型地施加更接近于阳极。

在一个实施方案–所谓的串联OLED中，在阳极与阴极之间设置两个以上的发射层。在一个实施方案中，三个发射层配置为一个在另一个顶部上，其中一个发射层发出红光，一个发射层发出绿光并且一个发射层发出蓝光，并且任选地存在施加在各个发射层之间的另外的电荷产生层、电荷阻挡层或电荷传输层。在进一步实施方案中，各个发射层以直接邻接方式施加。在进一步实施方案中，在发射层之间在每种情况下存在一个电荷产生层。另外，在OLED中，可以直接组合邻接的发射层和由电荷产生层分隔的发射层。

也可以在电极和有机层的顶部上配置封装。例如，封装可以采用玻璃盖的形式或采用薄膜封装的形式。

用于光电器件中的载体材料可以为例如玻璃、石英、塑料、金属、硅晶片或任意其它适当的固体，或柔软、任选透明的材料。载体材料可以包括例如层、膜、片或层叠体形式的一种或多种材料。

用于光电器件中的阳极可以为例如透明的导电性金属氧化物，例如ITO(氧化铟锡)、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟、或氧化铝锌(AZO)、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、MgIn₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂、或不同的透明的导电性氧化物的混合物。

使用的HIL材料可以为例如PEDOT:PSS(聚-3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸)、PEDOT(聚-3,4-乙撑二氧噻吩)、m-MTDATA(4,4′,4″-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2′,7,7′-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺双芴)、DNTPD(4,4'-双[N-[4-{N,N-双(3-甲基苯基)氨基}苯基]-N-苯基氨基]联苯)、NPB(N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]苯)、MeO-TPD(N,N,N′,N′-四(4-甲氧基苯基)苯)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六腈)或螺-NPD(N,N′-二苯基-N,N′-双(1-萘基)-9,9′-螺双芴-2,7-二胺)。通过实例的方式，层厚度为10-80nm。另外，可以使用小分子(例如，铜酞菁(CuPc，例如厚度10nm))或金属氧化物，通过实例的方式，为MoO₃、V₂O₅。

使用的HTL材料可以为叔胺类、咔唑衍生物、聚苯乙烯磺酸掺杂的聚乙撑二氧噻吩、樟脑磺酸掺杂的聚苯胺、聚-TPD(聚(4-丁基苯基二苯胺)、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基二苯胺))、TAPC(4,4′-环己二烯基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、TCTA(三(4-咔唑-9-基苯基)胺)、2-TNATA(4,4′,4″-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN或TrisPcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-二咔唑)。通过实例的方式，层厚度为10nm至100nm。

HTL可以包括在有机空穴传导基体中具有无机或有机掺杂物的p掺杂层。使用的无机掺杂物可以为例如过渡金属氧化物，例如氧化钒、氧化钼或氧化钨。使用的有机掺杂物可以为例如四氟四氰基喹啉二甲烷(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属配合物。通过实例的方式，层厚度为10nm至100nm。

使用的电子阻挡层材料可以为例如，mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯)、tris-Pcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-二咔唑)、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)或DCB(N,N′-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。通过实例的方式，层厚度为10nm至50nm。

发射层EML或发光层由以下组成或包括以下：发射体材料或包括至少两种发射体材料和任选地一种或多种主体材料的混合物。适当的主体材料为例如，mCP、TCTA、2-TNATA、mCBP、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)联苯)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基-三苯基硅烷)、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)二苯基硅烷)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并苯硫基)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9′-螺双芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或DPEPO(双[2-((氧)二苯基膦基)苯基]醚)。在一个实施方案中，EML包括：以重量计50％-80％、优选以重量计60％-75％的选自由以下组成的组的主体材料：CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑,9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑,9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑,9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并苯硫基)苯基]-9H-咔唑；以重量计10％-45％、优选以重量计15％-30％的T2T；和以重量计5％-40％、优选以重量计10％-30％的根据本发明的有机分子作为发射体。对于发出绿色或红色的发射体材料或包括至少两种发射体材料的混合物，标准基体材料是合适的，例如CBP。对于发出蓝色的发射体材料或包括至少两种发射体材料的混合物，可以使用UHG基体材料(超高能隙材料)(参见，例如，M.E.Thompson等，Chem.Mater.2004,16,4743)或其它所谓的宽间隙基体材料。通过实例的方式，层厚度为10nm至250nm。

空穴阻挡层HBL可以包括例如，BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉＝浴铜灵(bathocuproin))、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基苯酚)铝(III)(BAlq)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、T2T、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基氧化膦)或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑基)-9-基)苯)。通过实例的方式，层厚度为10nm至50nm。

电子传输层ETL可以包括例如，基于AlQ₃、TSPO1、BPyTP2(2,7-二(2,2′-二吡啶-5-基)三苯基)、NBPhen、Sif87、Sif88、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)或BTB(4,4′-双[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1′-联苯)的材料。通过实例的方式，层厚度为10nm至200nm。

用于薄的电子注入层EIL中的材料可以为例如，CsF,LiF,8-羟基喹啉锂(Liq)、Li₂O、BaF₂、MgO或NaF。

用于阴极层中的材料可以为金属或合金，例如Al、Al>AlF、Ag、Pt、Au、Mg、Ag:Mg。典型的层厚度为100nm至200nm。特别地，使用例如在形成薄的保护性氧化物层期间在空气下稳定和/或自钝化的一种或多种金属。

适当的用于封装的材料为例如，氧化铝、氧化钒、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化镧、氧化钽。

在根据本发明的有机光电器件的一个实施方案中，根据本发明的有机分子用作发光层EML中的发射材料，其中其以纯的层或以与一种或多种主体材料的组合使用。

本发明的一个实施方案涉及有机光电器件，其在1000cd/m²下的外部量子效率(EQE)为大于5％，特别地为大于8％，特别地为大于10％，或大于13％，或大于16％并且特别地为大于20％，和/或发射最大值在420nm与500nm之间，特别地在430nm与490nm之间，或在440nm与480nm之间和特别地在450nm与470nm之间的波长下，和/或其在500cd/m²下的LT80值为大于30h，特别地为大于70h，或为大于100h，或为大于150h并且特别地为大于200h。

在发射层EML中、在光学发光器件中的发光层的进一步实施方案中、特别是在OLED中的根据本发明的有机分子的质量比例在1％与80％之间。在根据本发明的有机光电器件的一个实施方案中，发光层施加至衬底，优选地同时阳极和阴极施加至衬底并且发光层施加至阳极与阴极之间。

在一个实施方案中，在阳极和阴极施加至衬底，并且发光层施加至阳极与阴极之间的情况下，发光层可以具有唯一地100％浓度的根据本发明的有机分子。

在根据本发明的有机光电器件的一个实施方案中，空穴注入兼电子注入层已经施加至阳极与阴极之间，和空穴传输兼电子传输层施加至空穴注入兼电子注入层之间，并且发光层施加至空穴传输兼电子传输层之间。

在本发明的进一步实施方案中，有机光电器件具有：衬底，阳极，阴极和至少一个空穴注入层和一个电子注入层，和至少一个空穴传输层和一个电子传输层，和至少一个包括根据本发明的有机分子和一种或多种主体材料的发光层，在阳极和阴极施加至衬底，并且空穴注入兼电子注入层施加至阳极与阴极之间，并且空穴传输兼电子传输层施加至空穴注入兼电子注入层之间，并且发光层施加至空穴传输兼电子传输层之间的情况下，它们的三线态(T₁)和单线态(S₁)能量水平在能量上与有机分子的三线态(T₁)和单线态(S₁)能量水平相比更高。

在进一步方面中，本发明涉及光电器件的制造方法。这使用根据本发明的有机分子来进行。

在一个实施方案中，该制造方法涵盖通过真空蒸发方法或由溶液来处理根据本发明的有机分子。

本发明也包括根据本发明的光电器件的制造方法，其中光电器件的至少一层

-通过升华方法来涂覆，

-通过OVPD(有机气相沉积)法来涂覆，

-通过载体气体升华来涂覆，和/或

-由溶液或通过印刷方法来生产。

在生产本发明的光电器件时，使用已知的方法。通常，各层在连续的沉积过程步骤中各个施加至适当的衬底。在气相沉积中，可以采用通常使用的方法，例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)。对于活性基体OLED(AMOLED)显示器，沉积对于作为衬底的AMOLED背板起作用。

选择性地，可以由在适当的溶剂中的溶液或分散液来施加各层。示例性的适当的涂布法是旋涂法、浸涂法和喷射打印法。各个层可以依照本发明分别地经由相同的涂布法或经由不同的涂布法来生产。

附图说明

附图示出：

图1实施例1的发射光谱(PMMA中10％)。

图2实施例2的发射光谱(PMMA中10％)。

图3实施例3的发射光谱(PMMA中10％)。

图4实施例4的发射光谱(PMMA中10％)。

图5实施例5的发射光谱(PMMA中10％)。

图6实施例6的发射光谱(PMMA中10％)。

图7实施例7的发射光谱(PMMA中10％)。

图8实施例8的发射光谱(PMMA中10％)。

图9实施例9的发射光谱(PMMA中10％)。

图10实施例10的发射光谱(PMMA中10％)。

图11实施例11的发射光谱(PMMA中10％)。

图12实施例12的发射光谱(PMMA中10％)。

图13实施例13的发射光谱(PMMA中10％)。

图14实施例14的发射光谱(PMMA中10％)。

图15实施例15的发射光谱(PMMA中10％)。

图16实施例16的发射光谱(PMMA中10％)。

图17实施例17的发射光谱(PMMA中10％)。

图18实施例18的发射光谱(PMMA中10％)。

图19实施例20的发射光谱(PMMA中10％)。

图20实施例20的发射光谱(PMMA中10％)。

图21实施例21的发射光谱(PMMA中10％)。

图22实施例22的发射光谱(PMMA中10％)。

图23实施例23的发射光谱(PMMA中10％)。

图24实施例24的发射光谱(PMMA中10％)。

图25实施例25的发射光谱(PMMA中10％)。

图26实施例26的发射光谱(PMMA中10％)。

图27实施例27的发射光谱(PMMA中10％)。

图28实施例28的发射光谱(PMMA中10％)。

图29实施例29的发射光谱(PMMA中10％)。

图30实施例30的发射光谱(PMMA中10％)。

图31实施例31的发射光谱(PMMA中10％)。

图32实施例32的发射光谱(PMMA中10％)。

图33实施例33的发射光谱(PMMA中10％)。

图34实施例34的发射光谱(PMMA中10％)。

图35实施例35的发射光谱(PMMA中10％)。

图36实施例36的发射光谱(PMMA中10％)。

图37实施例37的发射光谱(PMMA中10％)。

图38实施例38的发射光谱(PMMA中10％)。

图39实施例39的发射光谱(PMMA中10％)。

图40实施例40的发射光谱(PMMA中10％)。

图41实施例41的发射光谱(PMMA中10％)。

图42实施例42的发射光谱(PMMA中10％)。

具体实施方式

实施例

通用合成方案I

通用合成方法GM1：

将3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸(1.50当量)、4-溴-2,6-二氟苄腈(1.00当量)、Pd₂(dba)₃(0.02当量)、2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯(SPhos)(0.08当量)和磷酸三钾(2.50当量)在氮气下在甲苯/水混合物(比例20:1)中在100℃下搅拌16h。接着，将反应混合物添加至饱和氯化钠溶液并且用乙酸乙酯萃取两次。将组合的有机相用饱和氯化钠溶液清洗并且经过MgSO₄干燥，并且除去溶剂。将产物经由一些二氧化硅凝胶过滤，然后重结晶。获得固体形式的产物。

也可以依照本发明使用对应的硼酸酯而不是硼酸。

通用合成方法GM2:

Z2的合成与GM1中类似地通过3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸与3-溴-2,6-二氟苄腈的反应进行。

通用合成方法GM3：

Z3的合成与GM1中类似地通过3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸与4-溴-3,5-二氟苄腈的反应进行。

通用合成方法GM4：

Z4的合成与GM1中类似地通过3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸与4-溴-2,5-二氟苄腈的反应进行。

通用合成方法GM5：

Z5的合成与GM1中类似地通过3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸与2-溴-4,5-二氟苄腈的反应进行。

通用合成方法GM6:

Z6的合成与GM1中类似地通过3,5-双(三氟甲基)苯基硼酸与3-溴-5,6-二氟苄腈的反应进行。

通用合成方法GM7:

将Z1、Z2、Z3、Z4、Z5或Z6(各自1.00当量)、适当的供体分子D-H(2.00当量)和磷酸三钾(4.00当量)在氮气下悬浮在DMSO中，并且在110℃下搅拌(16h)。接着，将反应混合物添加至饱和氯化钠溶液，并且用二氯甲烷萃取三次。将组合的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤两次，并且经过硫酸镁干燥，然后除去溶剂。将粗产物通过从甲苯重结晶或经由快速层析(flash chromatography)来最后精制。获得固体形式的产物。

具体地，D-H对应于3,6-取代咔唑(例如，3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二叔丁基咔唑)、2,7-取代咔唑(例如，2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二叔丁基咔唑)、1,8-取代咔唑(例如，1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)、1-取代咔唑(例如，1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)、2-取代咔唑(例如，2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)或3-取代咔唑(例如，3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。

光物理测量

光学玻璃的预处理

在每次使用过后清洗所有玻璃(由石英玻璃制成的玻璃器皿和衬底，直径：1cm)：用二氯甲烷、丙酮、乙醇、去离子水冲洗三次，在5％的Hellmanex-溶液中浸渍24小时，用去离子水彻底漂洗。关于干燥，用氮气吹干光学玻璃。

样品准备：膜；旋涂法

仪器：Spin150,SPS euro.

样品浓度对应于10mg/ml，在甲苯或氯苯中制成。

程序：1)400rpm下3s；2)在1000rpm和1000rpm/s下20s；3)在4000rpm和1000rpm/s下10s。在涂布之后，将膜在70℃和空气下在LHG精确电热板上干燥1min。

光致发光光谱和TCSPC

利用Horiba Scientific的荧光光谱仪执行稳态发射光谱，该荧光光谱仪：型号：FluoroMax-4，配备有150W氙弧灯，激发单色器和发射单色器以及Hamamatsu R928光电倍增管和还有“时间相关单光子计数”(TCSPC)选项。发射光谱和激发光谱通过标准修正曲线来修正。

发射衰减时间同样用所述系统来进行测量，使用具有FM-2013附件和Horiba YvonJobin的TCSPC-Hub的TCSPC方法。激发源：

NanoLED 370(波长：371nm，脉冲持续时间：1.1ns)

NanoLED 290(波长：294nm，脉冲持续时间：<1ns)

SpectraLED 310(波长：314nm)

SpectraLED 355(波长：355nm)。

评估(指数拟合)利用数据站软件包和DAS 6评估软件来完成。拟合经由卡方方法给出。

其中e_i：通过拟合预测的参数，和o_i：测量的参数。

量子效率的测定

光致发光量子产率(PLQY)借助Hamamatsu Photonics的绝对PL量子产率测量C9920-03G系统来测量。该体系由150W的氙气放电灯、可自动调节的Czerny-Turner单色器(250-950nm)和具有高反射性的Spectralon涂层(Teflon-衍生物)的Ulbricht球构成，该球经由玻璃纤维电缆与具有1024×122像素的BT(薄型背照式-)CCD芯片(尺寸为24×24μm)的PMA-12多通道检测器连接。量子效率和CIE坐标借助U6039-05软件版本3.6.0来评价。

发射最大值以nm给出，量子产率Φ以％给出和CIE颜色坐标作为x,y-值给出。

根据以下方案来测定光致发光量子产率：

1)质量保证的进行：使用的参照物是已知浓度的乙醇中的蒽。

2)确定激发波长：首先，测定有机分子的吸收最大值并以此进行激发。

3)样品分析的进行：

在氮气气氛下测定脱气的溶液和膜的绝对量子产率。

根据下面的方程式在系统内部完成计算：

其中光子数为n_光子和强度为Int.。

来自气相的有机电致发光器件的生产和表征

使用根据本发明的有机分子，可以通过真空升华方法的方式来生产OLED器件。如果层包括两种以上的组分，则这些的比例以质量百分比给出。

作为尚未优化的OLED的这些可以以标准的方式表征；出于该目的，记录电致发光光谱、从通过光电二极管检测到的光计算的作为亮度的函数的外部量子效率(以％测量)、和电流。OLED的寿命可以从电致发光光谱相对于时间的曲线来测定。给出的LT50值在这里对应于在亮度已经下降为起始值的50％时的时间。类似地，LT70值对应于在亮度已经下降为起始值的70％时的时间。

从OLED的不同像素的平均值计算给出的值。描绘的光谱各自示出像素的测量系列。

HPLC-MS:

HPLC-MS光谱用连接至MS检测器(Thermo LTQ XL)的Agilent HPLC系统(1100系列)来测量。对于HPLC，使用粒径为3.5μm、长度为150mm且内径为4.6mm的来自Agilent的Eclipse Plus C18色谱柱。不采用预柱，并且操作在室温下用具有以下这些浓度的溶剂乙腈、水和四氢呋喃来完成：

溶剂A：H₂O(90％)>

溶剂B：H₂O(10％)>

溶剂C:THF(100％)

采用15μl的注入体积和具有以下这样的梯度的10μg/ml的浓度：

样品通过APCI(大气压力化学离子化)来离子化。

实施例1

根据GM1(99％产率)和GM7(40％产率)来制备实施例1。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：643,(18.60min)

R_f＝0.68(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图1示出实施例1的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在461nm处。光致发光量子产率(PLQY)为84％并且半高宽为0.43eV。

实施例2

根据GM1(99％产率)和GM7(47％产率)来制备实施例2。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：673,(20.05min)

R_f＝0.71(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图2示出实施例2的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在476nm处。光致发光量子产率(PLQY)为84％并且半高宽为0.44eV。发射衰减时间为63μs。

实施例3

根据GM1(99％产率)和GM7(77％产率)来制备实施例3。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：702,(21.51min)

R_f＝0.83(环己烷/乙酸乙酯5:1)

图3示出实施例3的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在486nm处。光致发光量子产率(PLQY)为74％并且半高宽为0.43eV。发射衰减时间为12μs。

实施例4

根据GM1(99％产率)和GM7(89％产率)来制备实施例4。

R_f＝0.84(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图4示出实施例4的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在478nm处。光致发光量子产率(PLQY)为78％并且半高宽为0.43eV。发射衰减时间为14μs。

实施例5

根据GM2(52％产率)和GM7(70％产率)来制备实施例5。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：765,(14.45min)

R_f＝0.13(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图5示出实施例5的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在483nm处。光致发光量子产率(PLQY)为68％并且半高宽为0.46eV。发射衰减时间为34μs。

实施例6

根据GM2(52％产率)和GM7(69％产率)来制备实施例6。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：1304,(31.17min)

R_f＝0.69(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图6示出实施例6的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在528nm处。光致发光量子产率(PLQY)为45％并且半高宽为0.46eV。发射衰减时间为3μs。

实施例7

根据GM2(52％产率)和GM7(74％产率)来制备实施例7。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：980,(22.38min)

R_f＝0.56(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图7示出实施例7的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在516nm处。光致发光量子产率(PLQY)为44％并且半高宽为0.49eV。发射衰减时间为3μs。

实施例8

根据GM2(52％产率)和GM7(38％产率)来制备实施例8。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：702,(19.55min)

R_f＝0.70(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图8示出实施例8的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在442nm处。光致发光量子产率(PLQY)为71％并且半高宽为0.44eV。

实施例9

根据GM1(99％产率)和GM7(47％产率)来制备实施例9。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：593,(10.67min)

图9示出实施例9的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在492nm处。光致发光量子产率(PLQY)为84％并且半高宽为0.41eV。发射衰减时间为7μs。

实施例10

根据GM1(99％产率)和GM7(74％产率)来制备实施例10。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：797,(21.35min)

R_f＝0.48(环己烷/乙酸乙酯5:1)

图10示出实施例10的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在481nm处。光致发光量子产率(PLQY)为80％并且半高宽为0.45eV。发射衰减时间为41μs。

实施例11

根据GM1(99％产率)和GM7(81％产率)来制备实施例11。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：975,(25.15min)

R_f＝0.65(环己烷/乙酸乙酯5:1)

图11示出实施例11的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在496nm处。光致发光量子产率(PLQY)为59％并且半高宽为0.50eV。发射衰减时间为22μs。

实施例12

根据GM1(99％产率)和GM7(16％产率)来制备实施例12。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：673,(19.01min)

R_f＝0.67(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图12示出实施例12的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在476nm处。光致发光量子产率(PLQY)为76％并且半高宽为0.46eV。

实施例13

根据GM5(94％产率)和GM7(53％产率)来制备实施例13。

R_f＝0.2(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：d＝8.28(s,1H),8.18(s,1H),8.07(s,1H),8.00(s,1H),7.29-7.31(m,4H),7.04(dd,4H),6.75(td,4H),3.85(s,6H),3.87(s,6H)ppm。

图13示出实施例13的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在502nm处。光致发光量子产率(PLQY)为75％并且半高宽为0.49eV。

实施例14

根据GM5(94％产率)和GM7(71％产率)来制备实施例14。

R_f＝0.7(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：d＝8.41(d,1H),8.26(s,2H),8.12(d,2H),7.72(q,2H),7.61(dd,1H),7.56(dd,1H),7.40(t,1H),7.27-7.34(m,1H),7.14-7.22(m,9H),7.01-7.16(m,4H),6.92-6.97(m,12H),6.85(td,1H),6.60(dd,1H),6.55(td,1H)ppm。

图14示出实施例14的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在527nm处。光致发光量子产率(PLQY)为49％并且半高宽为0.50eV。发射衰减时间为9μs。

实施例15

根据GM4(88％产率)和GM7(79％产率)来制备实施例15。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：645,(18.61min)

R_f＝0.55(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图15示出实施例15的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在450nm处。光致发光量子产率(PLQY)为78％并且半高宽为0.42eV。

实施例16

根据GM4(88％产率)和GM7(99％产率)来制备实施例16。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：702,(21.47min)

R_f＝0.74(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图16示出实施例16的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在471nm处。光致发光量子产率(PLQY)为92％并且半高宽为0.41eV。

实施例17

根据GM4(88％产率)和GM7(99％产率)来制备实施例17。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：d＝8.26(s,1H,Ar-H),8.19(d,2H,Ar-H),8.02(d,2H,Ar-H),7.87(s,1H,Ar-H),7.56(dd,2H,Ar-H),7.45(bs,1H,Ar-H),7.38-7.35(m,4H,Ar-H),7.22-7.21(m,2H,Ar-H),6.98(d,2H,Ar-H),1.43(s,18H,CH₃),1.41(s,18H,CH₃)ppm。

图17示出实施例17的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在466nm处。光致发光量子产率(PLQY)为94％并且半高宽为0.41eV。

实施例18

根据GM4(88％产率)和GM7(90％产率)来制备实施例18。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：765,(16.18min)

R_f＝0.38(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图18示出实施例18的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在513nm处。光致发光量子产率(PLQY)为52％并且半高宽为0.45eV。发射衰减时间为34μs。

实施例19

根据GM3(71％产率)和GM7(31％产率)来制备实施例19。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：702,(20.85min)

R_f＝0.86(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图19示出实施例20的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在463nm处。光致发光量子产率(PLQY)为72％并且半高宽为0.45eV。

实施例20

根据GM3(71％产率)和GM7(54％产率)来制备实施例20。

MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：765,(15.05min)

R_f＝0.36(环己烷/乙酸乙酯5:1)。

图20示出实施例20的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在500nm处。光致发光量子产率(PLQY)为61％并且半高宽为0.47eV。发射衰减时间为11μs。

实施例21

根据GM5(94％产率)和GM7(31％产率)来制备实施例21。

图21示出实施例21的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在468nm处。光致发光量子产率(PLQY)为92％并且半高宽为0.46eV。

实施例22

根据GM5(94％产率)和GM7(68％产率)来制备实施例22。

图22示出实施例22的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在470nm处。光致发光量子产率(PLQY)为84％并且半高宽为0.47eV。

实施例23

根据GM1(99％产率)和GM7(81％产率)来制备实施例23。

图23示出实施例23的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在470nm处。光致发光量子产率(PLQY)为47％并且半高宽为0.50eV。发射衰减时间为3μs。

实施例24

根据GM2(52％产率)和GM7(66％产率)来制备实施例24。

图24示出实施例24的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在475nm处。光致发光量子产率(PLQY)为62％并且半高宽为0.51eV。

实施例25

根据GM1(99％产率)和GM7(64％产率)来制备实施例25。

图25示出实施例25的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在473nm处。光致发光量子产率(PLQY)为84％并且半高宽为0.45eV。

实施例26

根据GM1(99％产率)和GM7来制备实施例26。

图26示出实施例26的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在473nm处。光致发光量子产率(PLQY)为87％并且半高宽为0.43eV。发射衰减时间为31μs。

实施例27

根据GM1(99％产率)和GM7(66％产率)来制备实施例27。

图27示出实施例27的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在473nm处。光致发光量子产率(PLQY)为82％并且半高宽为0.43eV。发射衰减时间为79μs。

实施例28

根据GM1(99％产率)和GM7(53％产率)来制备实施例28。

图28示出实施例28的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在473nm处。光致发光量子产率(PLQY)为61％并且半高宽为0.52eV。

实施例29

根据GM1(99％产率)和GM7(65％产率)来制备实施例29。

图29示出实施例29的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在489nm处。光致发光量子产率(PLQY)为73％并且半高宽为0.47eV。发射衰减时间为10μs。

实施例30

根据GM4(88％产率)和GM7(38％产率)来制备实施例30。

图30示出实施例30的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在464nm处。光致发光量子产率(PLQY)为86％并且半高宽为0.43eV。

实施例31

根据GM1(99％产率)和GM7来制备实施例31。

图31示出实施例31的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在492nm处。光致发光量子产率(PLQY)为78％并且半高宽为0.46eV。发射衰减时间为9μs。

实施例32

根据GM1(99％产率)和GM7(92％产率)来制备实施例32。

图32示出实施例32的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在476nm处。光致发光量子产率(PLQY)为72％并且半高宽为0.44eV。

实施例33

根据GM1(99％产率)和GM7(78％产率)来制备实施例33。

图33示出实施例33的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在465nm处。光致发光量子产率(PLQY)为93％并且半高宽为0.44eV。

实施例34

根据GM1(99％产率)和GM7(92％产率)来制备实施例34。

图34示出实施例34的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在467nm处。光致发光量子产率(PLQY)为83％并且半高宽为0.43eV。

实施例35

根据GM1(99％产率)和GM7(54％产率)来制备实施例35。

图35示出实施例35的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在501nm处。光致发光量子产率(PLQY)为62％并且半高宽为0.47eV。发射衰减时间为4μs。

实施例36

根据GM1(99％产率)和GM7(84％产率)来制备实施例36。

图36示出实施例36的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在466nm处。光致发光量子产率(PLQY)为76％并且半高宽为0.43eV。

实施例37

根据GM1(99％产率)和GM7(43％产率)来制备实施例37。

图37示出实施例37的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在509nm处。光致发光量子产率(PLQY)为59％并且半高宽为0.44eV。发射衰减时间为3μs。

实施例38

根据GM1(99％产率)和GM7(3％产率)来制备实施例38。

图38示出实施例38的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在521nm处。光致发光量子产率(PLQY)为72％并且半高宽为0.45eV。发射衰减时间为37μs。

实施例39

根据GM1(99％产率)和GM7(14％产率)来制备实施例39。

图39示出实施例39的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在463nm处。光致发光量子产率(PLQY)为60％并且半高宽为0.43eV。

实施例40

根据GM1(99％产率)和GM7(38％产率)来制备实施例40。

图40示出实施例40的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在504nm处。光致发光量子产率(PLQY)为57％并且半高宽为0.47eV。发射衰减时间为4μs。

实施例41

根据GM1(99％产率)和GM7(74％产率)来制备实施例41。

图41示出实施例41的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在462nm处。光致发光量子产率(PLQY)为78％并且半高宽为0.44eV.

实施例42

根据GM1(99％产率)和GM7(75％产率)来制备实施例42。

图42示出实施例42的发射光谱(PMMA中10％)。发射最大值在455nm处。光致发光量子产率(PLQY)为77％并且半高宽为0.44eV。

实施例D1

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子的比例以质量百分比给出)的OLED器件("器件D1")中测试实施例4：

层厚度D17100nmAl62nmLiq540nmNBPhen420nm4(20％):mCBP310nmTCTA280nmNPB1130nmITO衬底玻璃

最大值在1000cd/m²下外部量子效率(EQE):14.2±0.7％10.9±0.3％

发射最大值在480nm处；在6V下，测定CIEx为0.19并且测定CIEy为0.36。

实施例D2

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子的比例以质量百分比给出)的OLED器件("器件D2")中测试实施例9：

层厚度D27100nmAl62nmLiq540nmNBPhen420nm9(10％):mCBP310nmTCTA280nmNPB1130nmITO衬底玻璃

最大值在1000cd/m²下LT80(在500cd/m²下)外部量子效率(EQE):--14.7±0.1％325h

发射最大值在486nm处；在6V下，测定CIEx为0.21并且测定CIEy为0.39。

实施例D3

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子和两种主体分子的比例分别地以质量百分比给出)的OLED器件D3中测试实施例9：

发射最大值在493nm处；在6V下，测定CIEx为0.22并且测定CIEy为0.46。在1000cd/m²下的EQE为23.6±0.4％并且在500cd/m²下的LT80为416h。

实施例D4

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子和两种主体分子的比例分别地以质量百分比给出)的OLED器件D4中测试实施例9：

发射最大值在487nm处；在6V下，测定CIEx为0.21并且测定CIEy为0.42。在1000cd/m²下的EQE为15.1±0.6％并且在500cd/m²下的LT80为1017h。

实施例D5

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子和两种主体分子的比例分别地以质量百分比给出)的OLED器件D5中测试实施例31：

发射最大值在485nm处；在6V下，测定CIEx为0.21并且测定CIEy为0.41。在1000cd/m²下的EQE为16.1±0.5％并且在500cd/m²下的LT80为260h。

实施例D6

除了将实施例4由实施例35来替代以外，在具有与OLED器件D1相同的结构的OLED器件D6中测试实施例35。发射最大值在504nm处；在6V下，测定CIEx为0.27并且测定CIEy为0.48。在1000cd/m²下的EQE为9.5±0.3％并且在500cd/m²下的LT80为162h。

实施例D7

在具有以下结构(发光层中根据本发明的分子和两种主体分子的比例分别地以质量百分比给出)的OLED器件D7中测试实施例1：

层厚度材料8100nmAl72nmLiq630nmTPBi510nmDPEPO420nm实施例1(20％):DPEPO(80％)310nmCzSi220nmTCTA270nmNPB220nmm-MTDATA1130nmITO衬底玻璃

发射最大值在460nm处；在6V下，测定CIEx为0.16并且测定CIEy为0.19。在1000cd/m²下的EQE为8.0±0.4％。

实施例D8

除了将实施例1由实施例27替代以外，在具有与OLED器件D1相同的结构的OLED器件D8中测试实施例27。发射最大值在473nm处；在6V下，测定CIEx为0.18并且测定CIEy为0.29。在1000cd/m²下的EQE为10.6±0.4％。

进一步说明性的OLED器件包括以下结构：

层厚度材料9100nmAl82nmLiq730nmNBPhen610nmT2T520nm实施例9(20％):mCBP(60％):T2T(20％)410nmmCBP310nmTCTA280nmNPB1130nmITO衬底玻璃

根据本发明的有机分子的进一步实例：