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一种基于双频超材料的去耦合阵列天线

摘要

本发明公开了一种基于双频超材料的去耦合阵列天线,属于超材料和天线阵列去耦合等领域。包括:公共接地板1、介质基板8、左侧矩形开口辐射贴片2、右侧矩形开口辐射贴片3、左侧同轴馈电端口4和右侧同轴馈电端口5;两个矩形开口辐射贴片之间的介质基板上刻蚀左侧双频超材料结构6和右侧双频超材料结构7;左侧双频超材料结构6和右侧双频超材料结构7沿垂直方向并行排列,分别由8个超材料单元组成。本发明通过在两个矩形开口辐射贴片阵元之间集成双频超材料结构,有效地降低了两个辐射贴片单元之间的耦合,从而降低天线阵元之间的相互干扰,提高了阵列天线辐射单元之间的隔离度。

著录项

  • 公开/公告号CN107785661A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工程大学;

    申请/专利号CN201710978380.X

  • 发明设计人 李迎松;罗生元;焦天奇;王燕燕;

    申请日2017-10-18

  • 分类号H01Q1/52(20060101);H01Q1/38(20060101);H01Q1/48(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q21/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

  • 入库时间 2023-06-19 04:42:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q1/52 申请日:20171018

    实质审查的生效

  • 2018-03-09

    公开

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