法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/1157 申请日:20170809
实质审查的生效
2018-02-16
公开
公开
机译: 可编程电荷存储晶体管,一系列向上延伸的存储单元串,Si3Nx的形成方法,在控制栅和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法高扩展性的存储单元串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及高扩展性的存储单元串根据方法制造
机译: 形成包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高扩展串的阵列和包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高扩展串的阵列的方法
机译: 形成包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高扩展串的阵列和包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高扩展串的阵列的方法