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公开/公告号CN107540373A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明理工大学;
申请/专利号CN201710741647.3
发明设计人 严继康;甘有为;姜贵民;刘明;甘国友;谈松林;张家敏;杜景红;易建宏;
申请日2017-08-25
分类号
代理机构
代理人
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
入库时间 2023-06-19 04:12:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/493 申请日:20170825
实质审查的生效
2018-01-05
公开
机译: PZT PZT PZT基铁电薄膜的制备方法相同,PZT基铁电膜的制备方法相同
机译: 压电陶瓷材料基钛酸锆(PZT)钙钛矿晶体结构
机译:一种使用冰基微孔原蛋白沉积生物活性羟基磷灰石和胶原蛋白的PLLA支架制备方法。
机译:一种改进的环己基铵烯丙基和D-甘油-1'-基6-脱氧-6-C-磺基磺酸-α-D-吡喃葡萄糖苷的制备方法
机译:使用表面改性和离子掺杂的可见光驱动的SlaL2O4基光催化剂的合成
机译:TiO2基电阻开关存储器中的La离子掺杂效应
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机译:一种合成培养基中硫磺35标记的青霉素的制备方法
机译:一种基于钛酸锆钛酸铅的低温压电陶瓷材料的制备方法
机译:水和过渡金属离子掺杂对聚(3-取代噻吩-2,5-二基)电导率的影响