法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-21
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):B01J20/22 申请公布日:20171229 申请日:20160620
发明专利申请公布后的撤回
2018-01-26
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J20/22 申请日:20160620
实质审查的生效
2017-12-29
公开
公开
机译: 利用SOI基质作为模板,通过硅的氧化还原缺陷以制造薄,高品质,基本上松弛的SiGe-on-绝缘体基质材料的方法
机译: 制备“绝缘体上硅”基质和“绝缘体上硅”基质的方法
机译: 在基质上蚀刻硅层的方法,在基质和计算机可读介质上蚀刻硅层的等离子体处理系统