一种薄层电阻率测井响应校正的新方法

摘要

本发明属于电阻率测井技术领域，具体而言，涉及一种薄层电阻率测井响应校正的新方法，包括下列步骤：A、计算薄层电阻率测井曲线的纵向几何因子；B、根据纵向几何因子和薄层电导率计算薄层电阻率测井曲线总的接收信号；C、建立薄层电阻率测井响应定量校正模型，并推导相应的校正公式；D、选用合适的校正公式对薄层实测电阻率测井曲线进行逐点校正；E、绘制校正后的薄层电阻率测井曲线。该方法通过对薄层几何因子的分析，建立了几何因子校正模型，给出了薄层电阻率校正的新方法，该新方法能够得到薄层更真实的电阻率，提高了薄层的测井解释精度，为薄层的含油饱和度等参数的计算打好了坚实的基础，避免了漏失具有工业开采价值的薄油层。

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄层电阻率测井响应校正的新方法，属于电阻率测井技术领域。

背景技术

电阻率测井响应是判断油气水层、定性分析岩性、确定泥浆侵入带直径、求取储层含油饱和度的重要依据，对于薄油气层，由于电阻率测井仪器测量的是井筒周围一较大地层范围内的电阻率信息。因此薄层的电阻率的测量值必然受上下围岩及其它环境因素的影响，形成的误差足以干扰岩性和流体性质的评价，给含油饱和度等参数值的计算带来较大的误差。影响薄层评价成功率的主要原因是探测深度大的测井曲线纵向分辨率差，而纵向分辨率高的测井曲线，探测深度浅。纵向分辨率低，意味着围岩影响大，使得薄层的电阻率偏低，常规方法所确定的有效孔隙度偏低，含水饱和度偏高，以致漏失了许多有工业价值的薄油气层。

目前提高评价薄层的方法主要有：第一，研制探测深度适中、纵向分辨率高的测井仪器，提供准确的测井信息；第二，提高测井曲线的纵向分辨率，研究准确的薄层评价方法。虽然各种高分辨率测井仪器、高分辨处理技术及精细解释技术相继出现，但都不是绝对有效，测得的薄层电阻率和真实电阻率之间存在较大的误差，严重影响了测井解释精度，从而导致很多有工业开采价值的薄油层没有被发现。

发明内容

本发明提供了一种薄层电阻率测井响应校正的新方法，其目的在于，解决现有技术中存在的上述问题。

本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种薄层电阻率测井响应校正的新方法，包括下列步骤：

A、计算薄层电阻率测井曲线的纵向几何因子；

B、根据薄层纵向几何因子和电导率计算薄层电阻率测井曲线总的接收信号；

C、建立薄层电阻率测井响应定量校正模型，并推导出相应的校正公式；

D、选用合适的校正公式对薄层实测电阻率测井曲线进行逐点校正；

E、绘制校正后的薄层电阻率测井曲线。

在本发明提供的实施例中，上述步骤A中所述纵向几何因子的计算公式如下：

式中：g－纵向几何因子，无量纲；

L－测井仪器源距，m；

z－垂直仪器轴线而又通过仪器中点O的平面之间的相对位置，m；

r－测井信号辐射的径向距离，m。

其中，乘数是把g从z＝-∞到∞积分时的无维度尺寸单位规格化。

在本发明提供的实施例中，上述步骤B中总的接收信号计算公式如下：

式中：E－测井仪器总的接收信号，Ω·m；

K－与仪器结构形态有关的常数，无量纲；

C－电导率，S/m。

在本发明提供的实施例中，上述步骤C中所述校正公式的推导包括下列四种情况：

(1)、当则薄层电阻率测井曲线在y点处的校正公式如下：

式中：Ct(y)－y点处的理论电阻率值，Ω·m；

y－y点所在的薄层厚度，m；

L－测井仪器源距，m；

h－薄层总厚度，m；

E(y)－测井仪器在y处的记录值，Ω·m；

C_u－上部围岩电阻率值，Ω·m；

C_d－下部围岩电阻率值，Ω·m；

H_u－上部围岩厚度，m；

H_d－下部围岩厚度，m；

(2)、当则薄层电阻率测井曲线在y点处的校正公式如下：

(3)、当且薄层电阻率测井曲线在y点处的校正公式如下：

(4)、当且薄层电阻率测井曲线在某一点处的校正公式如下：

本发明的有益效果为：本发明提供的薄层电阻率测井响应校正新方法，通过对薄层几何因子的分析，建立了几何因子校正模型，给出了薄层电阻率校正的新方法，该新方法能够得到薄层更真实的电阻率，提高了薄层的测井解释精度，为薄层的含油饱和度等参数的计算打好了坚实的基础，避免了漏失具有工业开采价值的薄油层。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1本发明提供的当时电阻率测井仪进入薄层的相对位置图；

图2本发明提供的当时电阻率测井仪进入薄层的相对位置图；

图3本发明提供的当且时电阻率测井仪进入薄层的相对位置图；

图4本发明提供的当且时电阻率测井仪进入薄层的相对位置图；

图5本发明实施例1提供的薄油层校正前后电阻率测井曲线对比图；

图6本发明实施例2提供的薄水层校正前后电阻率测井曲线对比图。

图中所示：h-薄层的厚度；L-电阻率测井仪器源距；y-y点入薄层的厚度。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种薄层电阻率测井响应校正的新方法，包括下列步骤：

A、计算薄层电阻率测井曲线的纵向几何因子；

B、根据所述纵向几何因子和薄层电导率计算薄层电阻率测井曲线总的接收信号；

C、建立薄层电阻率测井响应定量校正模型，并推导出相应的校正公式；

D、选用合适的校正模型，并利用相应的校正公式对薄层实测电阻率测井曲线进行逐点校正；

E、绘制校正后的薄层电阻率测井曲线。

在本发明中，上述步骤A中纵向几何因子的计算公式如下：

式中：g－纵向几何因子，无量纲；

L－测井仪器源距，m；

z－垂直仪器轴线而又通过仪器中点O的平面之间的相对位置，m；

r－测井信号辐射的径向距离，m。

其中，乘数是把g从z＝-∞到∞积分时的无维度尺寸单位规格化。

在本实施例中，上述步骤B中总的接收信号计算公式如下：

式中：E－测井仪器总的接收信号，Ω·m；

K－与仪器结构形态有关的常数，无量纲；

C－电导率，S/m。

这个方程可推广到具有几个不同电导率的薄互层A，B，C，…的储层区域，则

E＝K[C_AG_A+C_BG_B+﹒﹒﹒](3)

其中，

式中：C_A－薄层A的电导率，S/m

C_B－薄层B的电导率，S/m；

Z_A⁽¹⁾－薄层A的下界面位置；

Z_A⁽²⁾－薄层A的上界面位置。

公式(4)、(5)中Gz的计算公式如下：

可得：

在本发明中，上述步骤C中校正公式的推导包括下列四种情况：

(1)、如图1，当

薄砂层y处的理论电阻率测井值C_t(y)(即校正后的电阻率测井值)应由上式解得

式中：Ct(y)－y点处的理论电阻率值，Ω·m；

E(y)－测井仪器在y处总的接收信号，Ω·m；

y－y点所在的薄层厚度，m；

L－测井仪器源距，m；

h－薄层总厚度，m；

C_u－上部围岩电阻率值，Ω·m；

C_d－下部围岩电阻率值，Ω·m；

H_u－上部围岩厚度，m；

H_d－下部围岩厚度，m。

(2)、如图2，当(薄层厚度h一般不超过仪器的长度L)且时：

得校正后的电阻率测井曲线为

式中：Ct(y)－y点处的理论电阻率值，Ω·m；

E(y)－测井仪器在y处的记录值，Ω·m；

y－y点所在的薄层厚度，m；

L－测井仪器源距，m；

h－薄层总厚度，m；

C_u－上部围岩电阻率值，Ω·m；

C_d－下部围岩电阻率值，Ω·m；

H_u－上部围岩厚度，m；

H_d－下部围岩厚度，m。

(3)、如图3，当且

得校正后的电阻率测井曲线为

式中：Ct(y)－y点处的理论电阻率值，Ω·m；

E(y)－测井仪器在y处的记录值，Ω·m；

y－y点所在的薄层厚度，m；

L－测井仪器源距，m；

h－薄层总厚度，m；

C_u－上部围岩电阻率值，Ω·m；

C_d－下部围岩电阻率值，Ω·m；

H_u－上部围岩厚度，m；

H_d－下部围岩厚度，m。

(4)、如图4，当且

得校正后的电阻率测井曲线为

式中：Ct(y)－y点处的理论电阻率值，Ω·m；

E(y)－测井仪器在y处的记录值，Ω·m；

y－y点所在的薄层厚度，m；

L－测井仪器源距，m；

h－薄层总厚度，m；

C_u－上部围岩电阻率值，Ω·m；

C_d－下部围岩电阻率值，Ω·m；

H_u－上部围岩厚度，m；

H_d－下部围岩厚度，m。

具体的，在本发明中，需根据不同情况，从步骤C四个校正公式中选择出合适的校正公式对薄层实测电阻率测井曲线进行逐点校正。

具体的，在本发明中，校正计算和校正后的薄层电阻率测井曲线的绘制是通过自编软件来实现的。

实施例1：

对某一薄油层利用本发明提供的薄层电阻率测井响应校正新方法对该薄层实测电阻率测井曲线进行校正，其校正结果如图5所示，从图中可以看出薄油层的电阻率校正后比校正前增大，说明由于受围岩的影响，薄油层的电阻率实测测井值一般偏低，对其进行校正是必要的，用校正后的电阻率计算出的含油饱和度比用实测电阻率计算的含有饱和度更接近该薄层的真实含油饱和度。

实施例2：

对某一薄水层利用本发明提供的薄层电阻率测井响应校正新方法对该薄层实测电阻率测井曲线进行校正，其校正结果如图6所示，从图中可以看出薄水层校正后比校正前一般都要降低，降低的幅度与地层水电阻率、该层的含水饱和度、上、下围岩的电阻率等因素有关。

本发明提供的薄层电阻率测井响应校正的新方法的有益效果为：本发明提供的薄层电阻率测井响应校正新方法，通过对薄层几何因子的分析，建立了几何因子校正模型，给出了薄层电阻率校正的新方法，该新方法能够得到薄层更真实的电阻率，提高了薄层的测井解释精度，为薄层的含油饱和度等参数的计算打好了坚实的基础，避免了漏失具有工业开采价值的薄油层。

以上所述，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。