一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法。该制备方法通过制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层；再将阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上；采用掩膜镀膜法，通过所述阴极环防反射层掩膜版，将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上，以制得一层防反射膜，能够快速简便地解决显示器显示区周边的亮边问题。该方法不仅不影响器件光电性能、而且工艺匹配程度高、遮挡效果好、工艺兼容性高，且采用该方法制得的OLED微型显示器阴极环防反射膜能够对显示区完全遮挡，进而大幅降低磁控溅射高能粒子对器件造成的损伤。

说明书

技术领域

本发明涉及一种反射膜及其制备方法，更具体地说，涉及一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法。

背景技术

在OLED微型显示器的生产和制备过程中，一般采用顶发射式发光器件结构，其阳极为保证较高的反射率通常采用厚金属层(500-2000埃米)制备，而阴极环与阳极一体制备成型，因此也有着较高的反射率。导致在器件使用时会看到显示区边界的亮边(即高反射阴极环)，影响显示效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种能够解决显示区边界亮边问题的阴极环防反射膜及其制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法，其包括以下步骤：

S1、制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层；

S2、使用阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上；

S3、采用掩膜镀膜法，通过所述阴极环防反射层掩膜版，将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上，以制得一层防反射膜。

优选地，在S1步骤中，所制得的所述OLED微型显示器阴极层为半透明金属阴极层。

优选地，所述阴极环设置在所述OLED微型显示器显示区的外围。

优选地，在S2步骤中，所述阴极环防反射层掩膜版上设有与所述阴极环位置相对应且尺寸相适配的镂空部分和加强筋部分。

优选地，在S2步骤中，包括以下步骤，

S2.1、将所述镂空部分对准所述阴极环；

S2.2、调整所述阴极环防反射层掩膜版与所述阴极环之间的距离。

优选地，在S3步骤中，所述防反射材料包括C、Si、Ge、AgO、MnO2、FeO、CuO中的一种或多种，所述防反射材料的厚度为200-100000埃米。

优选地，在S3步骤中，所述掩膜镀膜法包括磁控溅射法、热蒸镀法、电子束蒸镀法以及激光脉冲蒸镀法。

优选地，在S3步骤中，包括以下步骤：

S3.1、在原OLED镀膜设备内，传入磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室；

S3.2、通过装载好的阴极环防反射层掩膜版，使用所述磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀在阴极环上沉积一层阴极环防反射膜。

优选地，在S3.2步骤中，所述防反射材料通过的所述镂空部分在所述阴极环上沉积形成所述防反射膜。

本发明还构造一种OLED微型显示器阴极环防反射膜，采用上述的制备方法制得。

实施本发明的OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法，具有以下有益效果：，该制备方法通过制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层；再将阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上；采用掩膜镀膜法，通过所述阴极环防反射层掩膜版，将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上，以制得一层防反射膜，能够快速简便地解决显示器显示区周边的亮边问题。该方法不仅不影响器件光电性能、而且工艺匹配程度高、遮挡效果好、工艺兼容性高，且采用该方法制得的OLED微型显示器阴极环防反射膜件能够对显示区完全遮挡，进而大幅降低磁控溅射高能粒子对器件造成的损伤。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法的逻辑框图；

图2是本发明OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法中S1的OLED微型显示器阴极环结构示意图；

图3是本发明OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法中S2的阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层的示意图；

图4是本发明OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法中S3的阴极环防反射膜的结构示意图。

具体实施方式

图1示出了本发明一个实施例中的OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法。该制备方法包括以下步骤：

S1、制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层。

在该步骤中，首先用PVD方法在基板上沉积一层金属；再用光刻+刻蚀的方法刻蚀出金属阴极环图案；然后用PVD法在有金属阴极环图案的器件表面沉积一层金属阴极层(如Mg、Ag、Al等)形成带有阴极环的阴极层。

如图2所示，该阴极层10是采用双蒸发源共蒸镀法制备而成的合金薄膜，且呈半透明。制备该阴极层10的材料可以为Mg和Ag合金，可以理解地，该阴极层10的材料不限于Mg和Ag合金。

在制备好的OLED微型显示器阴极层10显示区12的外围设置阴极环11，该阴极环11的尺寸略大于显示区的尺寸，且层方形，可以理解地，该阴极环11的形状不限于呈方形，只需与显示区12的形状相适配即可。

S2、使用阴极环防反射层掩膜版20装载至所述OLED微型显示器阴极层10上。

进一步地，在该步骤中，可以分为以下步骤：S2.1、将所述镂空部分对准所述阴极环11；S2.2、调整所述阴极环防反射层掩膜版20与所述阴极环11之间的距离。

如图3所示，在S2.1步骤中，所使用的阴极环防反射层掩膜版20设有与该阴极环11位置相对应且尺寸相适配的镂空部分21和加强筋部分22。该镂空部分21可以分割为四个呈长条形的间隙，且与阴极环11各边相对，由这些镂空部分21可以围成显示区遮挡部分23，在该步骤中，将镂空部分21对准阴极环11各边，并将显示区遮挡部分23对准显示区12，不仅可以达到在阴极环11上镀膜的效果，而且还可以避免在镀膜过程中高能粒子对显示区12造成损伤。

在2.2步骤中，将对准后的阴极环防反射层掩膜版20在显示器基板上上下移动，选择该阴极环防反射层掩膜版20与该阴极环11之间合适的距离，从而可以避免因物理气象成膜工艺在基片旋转过程中由于偏心蒸镀和气相扩散产生的阴影效应，使得实际反射层图案边界往往大于掩膜版图案的问题产生，起到优化防反射层覆盖的效果的作用。

S3、采用掩膜镀膜法，通过所述阴极环防反射层掩膜版20，将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层10上，以制得一层防反射膜。

该掩膜镀膜法可以包括磁控溅射法、热蒸镀法、电子束蒸镀法以及激光脉冲蒸镀法；该方法需要在真空条件下进行，由该方法制备的薄膜，具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。所采用的防反射材料可以为C、Si、Ge、AgO、MnO2、FeO、CuO中的一种或多种，且该反射材料的厚度为200-100000埃米，可以理解地，所采用的材料不限，为高见光吸收率即可。

进一步地，在该步骤中，还可以分为以下步骤：S3.1、在原OLED镀膜设备内，传入磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室；S3.2、通过装载好的阴极环防反射层掩膜版20，使用所述磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀在阴极环11上沉积一层阴极环防反射膜。

具体地，在S3.1步骤中，保持高真空的条件下与该OLED微型器件功能层制备工艺一致，然后传入磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室，将防反射材料装载在磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀设备的料源或料舟里(如热蒸发设备的坩埚内、溅射或设备的靶材)。

具体地，在S3.2步骤中，在对准后的阴极环防反射层掩膜版20，接通磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室电源，通入惰性气体，在真空环境下，利用电磁场的作用，使防反射材料蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在OLED微型显示器阴极环11上。

如图4所示，所制得的防反射膜沉积在阴极环上，且该防反射膜3与显示区之间留有间隙，可以避免该防反射膜对显示区的正常显示造成干扰。

下面将以具体实施例并结合图2至图4对本制备方法进行说明。

首先在在介质材料衬底上制备金属阳极和阴极环图案，并完成OLED微型显示器结构其他各层的制备；其次采用双蒸发源共蒸镀法制备Mg：Ag＝8:1的合金薄膜形成半透明的阴极层10，该薄膜的厚度为200埃米；接着在原OLED镀膜设备内，更换阴极环防反射层掩膜版20，并将该阴极环防反射层掩膜版20上的镂空部分21与阴极层10上的阴极环11对准，调整该阴极环防反射层掩膜版20与阴极环11之间的距离；然后传入磁控溅射沉积腔室，采用厚度为1000埃米的Si作为防反射材料，将防反射材料装载在溅射的靶材上，通入Ar，调节真空度、射频功率、以及Ar气体流量，其中所采用的工艺参数为射频功率200-2000W，Ar气体流量：5-50SCCM，工艺真空度：0.1-50mtorr。最后通过电压和磁场的共同作用，以被离化的Ar离子对靶材进行轰击，致使防反射材料以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在显示器阴极环上形成防反射膜3。

可以理解的，以上实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，可以对上述技术特点进行自由组合，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围；因此，凡跟本发明权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。