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半模基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器

摘要

本发明公开了一种半模基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器,是由两块相同的半模基片集成波导通过接触组合而成的双层电路;改进的微带到半模基片集成波导的过渡电路通过梯形渐变接入半模基片集成波导;本发明在半模基片集成波导的公共地平面上开了一排5个圆形小孔来实现小孔耦合的目的,并最终实现了3‑dB的强耦合效果。其中,半模基片集成波导是通过在印刷电路板上设计一系列金属过孔实现的。本发明能顺利实现双层半模基片集成波导之间的3‑dB耦合,同时实现了直通端与耦合端之间的90°相移,相对于同等技术的基片集成波导耦合器,本发明在减小耦合器面积的同时提高了耦合器的性能,制作工艺简单,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN107230817A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京邮电大学;

    申请/专利号CN201710355367.9

  • 发明设计人 许锋;刘水;

    申请日2017-05-19

  • 分类号H01P5/18(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘莎

  • 地址 210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

  • 入库时间 2023-06-19 03:30:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01P5/18 申请公布日:20171003 申请日:20170519

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P5/18 申请日:20170519

    实质审查的生效

  • 2017-10-03

    公开

    公开

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