射频单端转差分跨导互补型高性能下混频器

摘要

本申请公开了一种射频单端转差分跨导互补型高性能下混频器，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路，跨导级电路包括第一级跨导单元和第二级跨导单元，第一级跨导单元为NMOS‑PMOS对，第二级跨导单元为PMOS‑NMOS对。本申请采用电流复用技术，在不增加功耗的基础上提升了电路设计和优化的自由度，避免了由于堆叠结构带来的增益不足的问题。跨导级采用NMOS‑PMOS对的结构，形成相位相差180°的RF信号，不仅避免了使用片上巴伦，有效减少了芯片面积，也有效降低了电路噪声。如果只采用一级NMOS‑PMOS对的跨导结构，会导致输出I/Q两路线性度不一致。