一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法

摘要

本发明提供一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法，其中包括：步骤一、提供基板，在基板上沉积二维材料层；步骤二、顺次旋涂第一PMGI光刻胶和第一正光刻胶，通过第一光刻步骤将用于生长源/漏电极的区域图形化，沉积源/漏电极；步骤三、顺次旋涂第二PMGI光刻胶和第二正光刻胶，通过第二光刻步骤将用于生长栅介质层和栅电极的区域图形化，生长栅介质层和栅电极。本发明能够利用双层光刻胶减少光刻胶残留，提高场效应管的本征频率。