法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-18
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20170818 申请日:20151028
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-08-18
公开
公开
机译: 使用包括通过定向自组装工艺形成的掩模层的工艺在下层结构中形成沟槽/通孔特征的方法
机译: 用于选择性渗透自组装嵌段共聚物的方法,用于形成金属氧化物结构的方法,用于形成金属氧化物图案的方法以及用于对半导体结构进行图案化的方法
机译: 定向自组装图案形成孔的缺陷减少方法和成分