首页> 中国专利> 一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

摘要

一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,以短碳纤维作为一种缓释碳源,添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2~33.2%的碳化硅粉末,6.8~41.8%的短碳纤维,15%的碳化硼粉末和10%的酚醛树脂为原料,依次进行纤维预处理,分级混料,双向加压压制成型,烘干固化,反应烧结;该方法工艺简便,通过特殊的碳源选择和一定的原料成分配比制备出残硅相尺寸小、含量低的高力学性能的反应烧结碳化硅复合陶瓷。

著录项

  • 公开/公告号CN106995314A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201710287236.1

  • 发明设计人 鲍崇高;宋索成;陈子晗;邱免;

    申请日2017-04-27

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/634(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人弋才富

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 02:52:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/80 申请公布日:20170801 申请日:20170427

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/80 申请日:20170427

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号